Wszystkie pola: Ściana, Beata

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: MOVPE - present state, future challeges, application in optoelectronic structures
Autorzy:: Ściana, Beata
Data publikacji:: 2008
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Photoluminescence and Raman spectroscopies as an optical approach of stress determining in MOVPE grown quantum cascade laser structures
Autorzy:: Łozińska, Adriana
Badura, Mikołaj
Jadczak, Joanna
Bielak, Katarzyna
Ściana, Beata
Tematy:: QCL core
quantum cascade laser
photoluminescence
Raman spectroscopy; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: The influence of quantum well and barrier thicknesses on photoluminescence spectra of InGaAs/AlInAs superlattices grown by LP-MOVPE
Autorzy:: Łozińska, Adriana
Badura, Mikołaj
Bielak, Katarzyna
Ściana, Beata
Tłaczała, Marek
Tematy:: photoluminescence
quantum cascade lasers
MOVPE
metalorganic vapour phase epitaxy; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Tutorial on epitaxy of semiconductor materials
Autorzy:: Pucicki, Damian
Współwytwórcy:: Bielak, Katarzyna
Ściana, Beata
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Technologia LP-MOVPE heterostruktur InGaAs/InP do konstrukcji kwantowych laserów kaskadowych
Współwytwórcy:: Tłaczała, Marek
Bielak, Katarzyna
Badura, Mikołaj
Dawidowski, Wojciech
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2014
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: AlGaAs/GaAs heterojunction phototransistor with Zn delta-doped base region
Współwytwórcy:: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Tłaczała, Marek
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Technologia i charakteryzacja struktury p-i-n na bazie InGaAsN do zastosowania w ogniwie tandemowym InGaAsN/GaAs
Współwytwórcy:: Tłaczała, Marek
Zborowska-Lindert, Iwona
Bielak, Katarzyna
Badura, Mikołaj
Dawidowski, Wojciech
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2014
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Technology and characterization of p-i-n photodetectors with DQW (In,Ga)(As,N)/GaAs active region
Współwytwórcy:: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Boratyński, Bogusław
Zborowska-Lindert, Iwona
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2007
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce
odwiedzone

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Characterization of AIIIBV epitaxial layers by scanning spreading resistance microscopy
Współwytwórcy:: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Paszkiewicz, Bogdan
Tłaczała, Marek
Macherzyński, Wojciech
Szyszka, Adam
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2011
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Parametry detektorów MSM wykorzystujących heterostruktury GaAsN/GaAs i MQW InGaAsN/GaAs
Współwytwórcy:: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Boratyński, Bogusław
Tłaczała, Marek
Zborowska-Lindert, Iwona
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2012
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:: New method of MOVPE process design for the growth of FGM AlGaAs/GaAs photodetectors
Współwytwórcy:: Wośko, Mateusz
Kovač, Jaroslav
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Paszkiewicz, Regina
Vincze, Andrej
Paszkiewicz, Bogdan
Tłaczała, Marek
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2009
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:: Rola, wymagania i technologia złącza tunelowego dla wielozłączowego ogniwa słonecznego
Współwytwórcy:: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Tłaczała, Marek
Zborowska-Lindert, Iwona
Bielak, Katarzyna
Badura, Mikołaj
Dawidowski, Wojciech
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:: GaAsN as a photovoltaic material - photoelectrical characterization
Współwytwórcy:: Biegański, Piotr
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Kamyczek, Paulina
Płaczek-Popko, Ewa
Tłaczała, Marek
Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki. Instytut Fizyki
Ściana, Beata
Zielony, Eunika
Data publikacji:: 2012
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:: Planarne domieszkowanie krzemem naprężonych studni kwantowych Inx Ga1-xAs/GaAs w technice MOVPE
Współwytwórcy:: Sitarek, Piotr
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Misiewicz, Jan (1952- )
Paszkiewicz, Bogdan
Tłaczała, Marek
Kudrawiec, Robert
Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki. Instytut Fizyki
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:: AP-MOVPE technology of AIIIBV-N heterostructures for photovoltaic applications
Współwytwórcy:: Latkowska, Magdalena
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Tłaczała, Marek
Serafińczuk, Jarosław
Dawidowski, Wojciech
Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki. Instytut Fizyki
Pucicki, Damian
Politechnika Wrocławska
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2012
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:: Wykorzystanie zaawansowanych trybów mikroskopii sił atomowych w badaniach struktur i przyrządów półprzewodnikowych
Współwytwórcy:: Wośko, Mateusz
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Paszkiewicz, Regina
Ramiączek-Krasowska, Maria
Paszkiewicz, Bogdan
Jankowski, Bogdan
Tłaczała, Marek
Macherzyński, Wojciech
Szyszka, Adam
Prażmowska, Joanna
Gryglewicz, Jacek
Stafiniak, Andrzej
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2012
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:: Influence of the AP MOVPE process conditions on InGaAsN/GaAs MQW MSM photodetectors parameters
Współwytwórcy:: Latkowska, Magdalena
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Tłaczała, Marek
Zborowska-Lindert, Iwona
Badura, Mikołaj
Dawidowski, Wojciech
Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki. Instytut Fizyki
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:: Optical properties of InGaAs/GaAs quantum wells with different distance from Si-delta-doping layer
Współwytwórcy:: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Sęk, Grzegorz
Misiewicz, Jan (1952- )
Andrzejewski, Janusz
Tłaczała, Marek
Kudrawiec, Robert
Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki. Instytut Fizyki
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Motyka, Marcin
Data publikacji:: 2005
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:: Stałoprądowy model tranzystora typu HSD MAGFET
Współwytwórcy:: Kordalski, Wiesław
Szymański, Krzysztof
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Boratyński, Bogusław
Zborowska-Lindert, Iwona
Panek, Marek
Polowczyk, Michał
Politechnika Gdańska. Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki. Katedra Systemów Mikroelektronicznych
Woźniak, Jerzy
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2007
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:: Zastosowanie InGaAsN w konstrukcji ogniwa słonecznego p-i-n
Współwytwórcy:: Latkowska, Magdalena
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Tłaczała, Marek
Zborowska-Lindert, Iwona
Bielak, Katarzyna
Dawidowski, Wojciech
Politechnika Wrocławska. Wydział Podstawowych Problemów Techniki. Instytut Fizyki
Pucicki, Damian
Przemysłowy Instytut Telekomunikacji S.A.
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2012
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:: Pod ścianą
Autorzy:: Erdoğan, Aslı (1967- ). Autor
Współwytwórcy:: Kaczmarska, Beata. Tłumaczenie
Tematy:: Turcja
Wojsko
Dziennikarze
Erdoğan, Aslı (1967- )
Zamach stanu
Stambuł (Turcja); Pokaż więcej
Data publikacji:: 2016
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Ściana, Beata" wg kryterium: Wszystkie pola

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język

Kolekcja