Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Technology and characterization of p-i-n photodetectors with DQW (In,Ga)(As,N)/GaAs active region

Tytuł:
Technology and characterization of p-i-n photodetectors with DQW (In,Ga)(As,N)/GaAs active region
Współwytwórcy:
Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Boratyński, Bogusław
Zborowska-Lindert, Iwona
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:
2007
Język:
angielski
Prawa:
http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Źródło:
Biblioteka Narodowa
Dostawca treści:
Academica
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Bibliogr.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies