Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Technology and characterization of p-i-n photodetectors with DQW (In,Ga)(As,N)/GaAs active region

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Technology and characterization of p-i-n photodetectors with DQW (In,Ga)(As,N)/GaAs active region
Współwytwórcy:: Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Boratyński, Bogusław
Zborowska-Lindert, Iwona
Pucicki, Damian
Radziewicz, Damian
Ściana, Beata
Data publikacji:: 2007
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Technology and characterization of p-i-n photodetectors with DQW (In,Ga)(As,N)/GaAs active region