Temat: centrum defektowe - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
Error analysis of the parameters of the defekt centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS
Autorzy:: Pawłowski, M.
Suproniuk, M.
Tematy:: PITS
centrum defektowe
półprzewodnik wysokorezystywny
adekwatność modelu
defect center
semi-insulating material
model adequacy; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS
Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 2
Autorzy:: Pawłowski, Michał.
Pawłowski Michał
Współwytwórcy:: Suproniuk Marek
Suproniuk, Marek.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego
Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego = The investigation of defect centor by measuring of thermal or optical stimulated currents and capacitance of p-n junctions and Schottky barriers
Proceedings of ONPMP 1978 z. 3
Prace ONPMP 1978 z. 3
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Pietras Edward
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 2
Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP
Autorzy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych GaN
Defect centres in high-resistivity epitaxial GaN
Autorzy:: Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Kozubal, M.
Żelazko, J.
Miczuga, M.
Tematy:: HRPITS
centrum defektowe
GaN
defect center; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem
Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1
Autorzy:: Plewa Dariusz
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4
Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET = Deep defect centres in active layer of MESFETs
Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Dobrzański Lech
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów
Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów = The measurement circuit for defect centers investigation by the method of the deep levels transient capacitance spectroscopy
Materiały Elektroniczne 1982 nr 3(39)
Autorzy:: Lamperski Jan
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 1983
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej
Materiały Elektroniczne 2004 T.32 nr 1/4
Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =
Autorzy:: Pawłowski Michał
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "centrum defektowe" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Temat

Słowa kluczowe

Autor

Typ dokumentu

Język

Forma i typ

Kolekcja