Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego

Tytuł:: Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego
Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego = The investigation of defect centor by measuring of thermal or optical stimulated currents and capacitance of p-n junctions and Schottky barriers
Proceedings of ONPMP 1978 z. 3
Prace ONPMP 1978 z. 3
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Pietras Edward
Słowa kluczowe:: semiconductor
bariera Schottky'ego
półprzewodnik
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
barrier Schottky
centrum defektowe
Electronic - journal - material
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Język:: polski
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/29367/content Link otwiera się w nowym oknie
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6074
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6074
ITME, sygn. dostępny
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

Bibliogr. s. 37-39

43 s. : il. 24 cm.

Informacja