Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)

Tytuł:: Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Kozubal Michał
Słowa kluczowe:: GaN:Si
głębokie centrum defektowe
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
DLTS
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Język:: polski
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/5382/content Link otwiera się w nowym oknie
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5945
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5945
ITME, sygn. dostępny
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

Bibliogr. s. 118-119

104-119 s. : il. 24 cm.

Informacja