Temat: centrum defektowe - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Centra defektowe w wysokorezystywnych warstwach epitaksjalnych GaN
Defect centres in high-resistivity epitaxial GaN
Autorzy:: Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Kozubal, M.
Żelazko, J.
Miczuga, M.
Tematy:: HRPITS
centrum defektowe
GaN
defect center; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplacea otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms
Autorzy:: Kozłowski, R.
Kamiński, P.
Żelazko, J.
Tematy:: HRPITS
radiacyjne centrum defektowe
Si
procedura Laplace'a
radiation defect centres
Laplace procedure; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
Error analysis of the parameters of the defekt centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS
Autorzy:: Pawłowski, M.
Suproniuk, M.
Tematy:: PITS
centrum defektowe
półprzewodnik wysokorezystywny
adekwatność modelu
defect center
semi-insulating material
model adequacy; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska
Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska = Effect shallow impurities on the properties and concentrations of deep-level defect centres in SiC
Prace doktorskie
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów
Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów = The measurement circuit for defect centers investigation by the method of the deep levels transient capacitance spectroscopy
Materiały Elektroniczne 1982 nr 3(39)
Autorzy:: Lamperski Jan
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 1983
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej
Materiały Elektroniczne 2004 T.32 nr 1/4
Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =
Autorzy:: Pawłowski Michał
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 2
Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP
Autorzy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4
Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET = Deep defect centres in active layer of MESFETs
Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Dobrzański Lech
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego
Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego = The investigation of defect centor by measuring of thermal or optical stimulated currents and capacitance of p-n junctions and Schottky barriers
Proceedings of ONPMP 1978 z. 3
Prace ONPMP 1978 z. 3
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Pietras Edward
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "centrum defektowe" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Temat

Słowa kluczowe

Autor

Typ dokumentu

Język

Forma i typ

Kolekcja