Wszystkie pola: Kozubal Michał - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kozubal Michał" wg kryterium: Wszystkie pola

Wyświetlanie 1-10 z 18

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Identyfikacja centrów defektowych w warstwach spitaksjalnych 4H-SiC
Autorzy:: Kozubal, Michał
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Autorzy:: Kozubal, Michał
Data publikacji:: 2010
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:Si metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Autorzy:: Kozubal, Michał
Data publikacji:: 2006
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Autorzy:: Kozubal, Michał
Tematy:: defekty punktowe
głębokie pułapki
DLTS
napromieniowanie elektronami
SiC
point defects
deep traps
electron irradiation; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej = New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method
Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 3
Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Mawłowski Marek
Brzozowski Michał
Pawłowski Michał
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 1
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska
Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska = Effect shallow impurities on the properties and concentrations of deep-level defect centres in SiC
Prace doktorskie
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
Współwytwórcy:: Kozubal, Michał
Pawłowski, Michał
Pawłowski, Marek
Brzozowski, Michał
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 18

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies