Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 1

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 1
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Autorzy:: Kozubal Michał
Słowa kluczowe:: SiC
electron irradiation
point defects
defekty punktowe
DLTS
deep traps
napromieniowanie elektronami
głębokie pułapki
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Język:: polski
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/36207/content Link otwiera się w nowym oknie
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6404
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6404
ITME, sygn. dostępny
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

3-9 s. : il. 30 cm

Informacja