Temat: bariera Schottky'ego

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modelling of Schottky contacts for admittance and impurity profiling measurements
Autorzy:: Sikorski, S.
Jung, W.
Tematy:: diody Schottky'ego
modelowanie
detektory z barierą Schottky'ego
przyrządy półprzewodnikowe
Schottky diodes
modelling
Schottky barrier photodiodes
semiconductor devices; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Photodiode based on the epitaxial phosphide gallium with increased sensitivity at a wavelength of 254 nm
Fotodioda oparta na epitaksjalnym fosforku galu o zwiększonej wrażliwości przy długości fali 254 nm
Autorzy:: Dobrovolsky, Yurii G.
Lipka, Volodymyr M.
Strebezhev, Volodymyr V.
Sorokatyi, Yurii O.
Sorokatyi, Mykola O.
Andreeva, Olga P.
Tematy:: photodiode
gallium phosphide
sensitive, 254 nm
Schottky barrier
fotodioda
fosforek galu
czułość, 254 nm
bariera Schottky'ego; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego
Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego = The investigation of defect centor by measuring of thermal or optical stimulated currents and capacitance of p-n junctions and Schottky barriers
Proceedings of ONPMP 1978 z. 3
Prace ONPMP 1978 z. 3
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Pietras Edward
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Analysis and investigation of Schottky barrier MOSFET current injection with process and device simulation
Autorzy:: Schwarz, Mike
Calvet, Laurie E.
Snyder, John P.
Krauss, Tillmann
Schwalke, Udo
Kloes, Alexander
Tematy:: Poisson equation
device simulation
field emission
modeling
MOSFET
process simulation
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
tunneling current
równanie Poissona
emisja polowa
modelowanie
symulacja procesu
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd tunelowy; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Autorzy:: Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A.
Tematy:: 2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
dwuwymiarowe równanie Poissona
modelowanie elementów elektronicznych
dwubramkowy tranzystor MOS
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Informacja