Wszystkie pola: Strupiński Włodzimierz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne
Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties
Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Autorzy:: Strupiński Włodzimierz
Współwytwórcy:: Brzozowski Waldemar
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Proceedings of ITME 1988 z. 27
Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej = The production of thin GaP lauers by vapour phase epitaxy
Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej
Prace ITME 1988 z. 27
Autorzy:: Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 1988
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70
Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures
Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70)
Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si
Autorzy:: Tomaszewski Jacek
Tomaszewski, Jacek
Współwytwórcy:: Strupiński Włodzimierz
Czub Mirosław
Brzozowski Waldemar
Data publikacji:: 1990
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990
Materiały Elektroniczne 2(74)/1991
Materiały Elektroniczne 1991 nr 2(74)
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Kaminski Paweł
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 1991
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1
Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE
Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE = Optimalization of doping profile in GaAs epilayers obtained by MOVPE and HVPE methods
Autorzy:: Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics
Zaawansowane technologie cienkowarstwowe
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 2
Autorzy:: Strupiński Włodzimierz
Współwytwórcy:: Wagner Andrzej
Czub Mirosław
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji
Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 4
Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =
Autorzy:: Jasik Agata
Współwytwórcy:: Kosiel Kamil
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 1997
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)
Autorzy:: Jasik Agata
Współwytwórcy:: Kosiel Kamil
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2000 T.28 nr 3
Rozwinięcie i zastosowanie darwinowskiej teorii dyfrakcji promieni rentgenowskich do określania struktury i składu chemicznego kryształów wielowarstwowych
Rozwinięcie i zastosowanie darwinowskiej teorii dyfrakcji promieni rentgenowskich do określania struktury i składu chemicznego kryształów wielowarstwowych = Development and application of Darwin x-ray diffraction theory for structure and chemical composition determination in multilayered crystals
Autorzy:: Wójcik Marek
Współwytwórcy:: Gaca Jartosław
Turos Andrzej
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Influence of the thermal annealing on hydrogen concentration in GaN layers – SIMS characterization
Współwytwórcy:: Jakieła, Rafał
Wesołowski, Marek
Jasik, Agata
Strupiński, Włodzimierz
Góra, Krzysztof
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Kosiel, Kamil.
Data publikacji:: 2002
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Strupiński Włodzimierz" wg kryterium: Wszystkie pola

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Temat

Słowa kluczowe

Autor

Typ dokumentu

Język

Forma i typ

Kolekcja