Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70
Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures
Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70)
Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si
Autorzy:: Tomaszewski Jacek
Tomaszewski, Jacek
Współwytwórcy:: Strupiński Włodzimierz
Czub Mirosław
Brzozowski Waldemar
Słowa kluczowe:: Si
heterostructure
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
heterostruktura
GaAs
Electronic - journal - material
Data publikacji:: 1990
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Język:: polski
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/10831/content Link otwiera się w nowym oknie
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5684
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5684
ITME, sygn. dostępny
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

Bibliogr. s. 33

s. 26-33 : il. ; 24 cm.

s. 26-33 : il.

Informacja