Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70

Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70
Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures
Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70)
Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si
Autorzy:
Tomaszewski Jacek
Tomaszewski, Jacek
Współwytwórcy:
Strupiński Włodzimierz
Czub Mirosław
Brzozowski Waldemar
Słowa kluczowe:
Si
heterostructure
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
heterostruktura
GaAs
Electronic - journal - material
Data publikacji:
1990
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Język:
polski
Linki:
https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/10831/content  Link otwiera się w nowym oknie
Prawa:
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Źródło:
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5684
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5684
ITME, sygn. dostępny
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Bibliogr. s. 33

s. 26-33 : il. ; 24 cm.

s. 26-33 : il.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies