Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:

Epitaksja węglika krzemu metodą CVD

Autorzy:

Strupiński, Włodzimierz

Współwytwórcy:

Kościewicz, Kinga
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Wesołowski, Marek

Data publikacji:

2008

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:

Zaawansowane technologie cienkowarstwowe = Advanced thin layers technics
Zaawansowane technologie cienkowarstwowe
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 2

Autorzy:

Strupiński Włodzimierz

Współwytwórcy:

Wagner Andrzej
Czub Mirosław

Data publikacji:

1995

Wydawca:

ITME

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:

Proceedings of ITME 1988 z. 27
Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej = The production of thin GaP lauers by vapour phase epitaxy
Wytwarzanie cienkich warstw fosforku galu metodą epitaksji z fazy gazowej
Prace ITME 1988 z. 27

Autorzy:

Strupiński Włodzimierz

Data publikacji:

1988

Wydawca:

Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:

Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1
Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE
Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE = Optimalization of doping profile in GaAs epilayers obtained by MOVPE and HVPE methods

Autorzy:

Strupiński Włodzimierz

Data publikacji:

1993

Wydawca:

ITME

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:

Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne
Epitaksja GaP/GaP z fazy gazowej dla przyrządów emitujących swiatło żółto-zielone. Własności strukturalne i elektrooptyczne = Vapour phase epitaxy for devices emitting the yellow-green light the structural and electrooptical properties
Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)

Autorzy:

Strupiński Włodzimierz

Współwytwórcy:

Brzozowski Waldemar

Data publikacji:

1985

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:

Zastosowanie spektroskopii impedancyjnej do badania struktur GaN HFET

Autorzy:

Paszkiewicz, Bogdan

Współwytwórcy:

Strupiński, Włodzimierz

Data publikacji:

2003

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:

First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland

Autorzy:

Gębski, Marcin
Śpiewak, Patrycja
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Głowadzka, Weronika
Nakwaski, Włodzimierz
Sarzała, Robert P.
Wasiak, Michał
Czyszanowski, Tomasz
Strupiński, Włodzimierz

Tematy:

semiconductor laser
GaAs
gallium arsenide
optical communication
VCSEL
laser półprzewodnikowy
arsenek galu
komunikacja optyczna

Pokaż więcej

Data publikacji:

2021

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:

First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland

Autorzy:

Gębski, Marcin
Śpiewak, Patrycja
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Głowadzka, Weronika
Nakwaski, Włodzimierz
Sarzała, Robert P.
Wasiak, Michał
Czyszanowski, Tomasz
Strupiński, Włodzimierz

Tematy:

semiconductor laser
GaAs
gallium arsenide
optical communication
VCSEL
laser półprzewodnikowy
arsenek galu
komunikacja optyczna

Pokaż więcej

Data publikacji:

2021

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:

Niebieskie, zielone i białe emitery światła wytwarzane z półprzewodników AIII-BN

Autorzy:

Rudziński, Mariusz

Współwytwórcy:

Strupiński, Włodzimierz
Wesołowski, Marek

Data publikacji:

2014

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:

Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990
Materiały Elektroniczne 2(74)/1991
Materiały Elektroniczne 1991 nr 2(74)

Autorzy:

Kamiński Paweł

Współwytwórcy:

Kaminski Paweł
Strupiński Włodzimierz

Data publikacji:

1991

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 11.

Tytuł:

Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji
Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 4
Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =

Autorzy:

Jasik Agata

Współwytwórcy:

Kosiel Kamil
Strupiński Włodzimierz

Data publikacji:

1997

Wydawca:

ITME

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 12.

Tytuł:

Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)

Autorzy:

Jasik Agata

Współwytwórcy:

Kosiel Kamil
Strupiński Włodzimierz

Data publikacji:

1998

Wydawca:

ITME

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 13.

Tytuł:

Technologia MOCVD materiałów zawierających antymon na podłóżach GaSb dla zastosowań w optoelektronice

Autorzy:

Wesołowski, Marek

Współwytwórcy:

Instytut Technologii Elektronowej
Strupiński, Włodzimierz

Data publikacji:

2009

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 14.

Tytuł:

Epitaksja warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb na podłożach GaSb metodą MOCVD

Autorzy:

Wesołowski, Marek

Współwytwórcy:

Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Strupiński, Włodzimierz

Data publikacji:

2010

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 15.

Tytuł:

Wielozłączowe ogniwa słoneczne

Współwytwórcy:

Knyps, Piotr
Strupiński, Włodzimierz
Wesołowski, Marek
Dumiszewska, Ewa

Data publikacji:

2014

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 16.

Tytuł:

Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70
Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si = GaAs-Si heteroepitaxial structures
Materiały Elektroniczne 1990 nr 2(70)
Heteroepitaksjalne struktury GaAs-Si

Autorzy:

Tomaszewski Jacek
Tomaszewski, Jacek

Współwytwórcy:

Strupiński Włodzimierz
Czub Mirosław
Brzozowski Waldemar

Data publikacji:

1990

Wydawca:

Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 17.

Tytuł:

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym

Autorzy:

Wójcik Marek

Współwytwórcy:

Rudziński Mariusz
Gaca Jarosław
Strupiński Włodzimierz

Data publikacji:

2012

Wydawca:

ITME

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 18.

Tytuł:

Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym

Współwytwórcy:

Rudziński, Mariusz
Wójcik, Marek
Strupiński, Włodzimierz
Gaca, Jarosław

Data publikacji:

2012

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 19.

Tytuł:

Materiały Elektroniczne 2000 T.28 nr 3
Rozwinięcie i zastosowanie darwinowskiej teorii dyfrakcji promieni rentgenowskich do określania struktury i składu chemicznego kryształów wielowarstwowych
Rozwinięcie i zastosowanie darwinowskiej teorii dyfrakcji promieni rentgenowskich do określania struktury i składu chemicznego kryształów wielowarstwowych = Development and application of Darwin x-ray diffraction theory for structure and chemical composition determination in multilayered crystals

Autorzy:

Wójcik Marek

Współwytwórcy:

Gaca Jartosław
Turos Andrzej
Strupiński Włodzimierz

Data publikacji:

2000

Wydawca:

ITME

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 20.

Tytuł:

InP nanowires for photovoltaic applications
Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice
Materiały Elektroniczne. T. 43 Nr 4
Electronic Materials Vol. 43 Issue 4

Autorzy:

Dumiszewska Ewa

Współwytwórcy:

Jóźwik Iwona
Strupiński Włodzimierz
Krajewska Aleksandra
Grodecki Kacper

Data publikacji:

2015

Wydawca:

ITME

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 21.

Tytuł:

Optymalizacja wytwarzania pierwszego złącza trójzłączowych ogniw słonecznych na bazie związków InGaP/InGaAs/Ge

Współwytwórcy:

Wesołowski, Marek
Strupiński, Włodzimierz
Teodorczyk, Marian
Dumiszewska, Ewa
Knyps, Piotr

Data publikacji:

2011

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 22.

Tytuł:

Epitaksja movpe azotków III grupy układu okresowego : główne problemy technologiczne

Współwytwórcy:

Jakieła, Rafał
Jasik, Agata
Strupiński, Włodzimierz
Dumiszewska, Ewa
Lenkiewicz, Dariusz

Data publikacji:

2003

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 23.

Tytuł:

X-ray photoelectron spectroscopy : methodology and application

Współwytwórcy:

Papis-Polakowska, Ewa
Płociński, Tomasz
Jankowska, O.
Strupiński, Włodzimierz
Krajewska, A.

Tematy:

Fizyka

Pokaż więcej

Data publikacji:

2014

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 24.

Tytuł:

CVD growth of graphene stacks on 4H-SiC (0001) surface

Współwytwórcy:

Kowalski, Grzegorz (fizyk)
Urban, Joanna (fizyk)
Tokarczyk, Mateusz
Strupiński, Włodzimierz
Grodecki, Kacper

Tematy:

Fizyka

Pokaż więcej

Data publikacji:

2013

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 25.

Tytuł:

Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper

Współwytwórcy:

Caban, Piotr
Strupiński, Włodzimierz
Ciuk, Tymoteusz
Pasternak, Iwona
Grodecki, Kacper
Piątkowska, Anna

Data publikacji:

2013

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 26.

Tytuł:

Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper = Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi
Materiały Elektroniczne 2013 Vol. 41 No 2

Autorzy:

Pasternak Iwona

Współwytwórcy:

Piątkowska Anna
Ciuk Tymoyeusz
Strupiński Włodzimierz
Caban Piotr
Grodecki Kacper

Data publikacji:

2013

Wydawca:

ITME

Dostawca treści:

RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

/5

Książka

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 27.

Tytuł:

In situ Raman spectroscopy of solution-gated graphene on copper

Współwytwórcy:

Binder, Johannes Roman. Autor
Stępniewski, Roman. Autor
Strupiński, Włodzimierz. Autor
Wysmołek, Andrzej. Autor

Tematy:

Miedź
Spektroskopia Ramana
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD)
Grafen

Pokaż więcej

Data publikacji:

2017

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 28.

Tytuł:

Graphene basedss flow sensors

Współwytwórcy:

Kaźmierczak, P.
Wysmołek, Andrzej
Strupiński, Włodzimierz
Binder, Johannes Roman
Boryczko, Kamil
Ciuk, Tymoteusz
Stępniewski, Roman

Tematy:

Fizyka

Pokaż więcej

Data publikacji:

2014

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 29.

Tytuł:

ESR spectroscopy of graphene with adsorbed NaCl particles

Współwytwórcy:

Kamińska, Magdalena (fizyk)
Bożek, Rafał
Kaźmierczak, P.
Drabińska, Aneta
Wysmołek, Andrzej
Strupiński, Włodzimierz
Karpierz, E.

Tematy:

Fizyka

Pokaż więcej

Data publikacji:

2014

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 30.

Tytuł:

Pomiary elektryczne i optyczne ogniw fotowoltaicznych Ge/InGaAs/InGaP

Współwytwórcy:

Kalbarczyk, Joanna
Wesołowski, Marek
Strupiński, Włodzimierz
Teodorczyk, Marian
Dumiszewska, Ewa
Knyps, Piotr
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych

Data publikacji:

2013

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 31.

Tytuł:

Epitaksja MOCVD naprężonych struktur kwantowych laserów kaskadowych InGaAs/InAIAs/InP

Współwytwórcy:

Wójcik, Marek
Wesołowski, Marek
Caban, Piotr
Strupiński, Włodzimierz
Dumiszewska, Ewa
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Gaca, Jarosław

Data publikacji:

2013

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 32.

Tytuł:

Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie

Współwytwórcy:

Wójcik, Marek
Caban, Piotr
Borysiuk, Jolanta
Strupiński, Włodzimierz
Sathish, N.
Pathak, A. P.
Gaca, Jarosław
Turos, Andrzej

Data publikacji:

2008

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 33.

Tytuł:

Diody laserowe dużej mocy i matryce diod laserowych na pasmo 800 nm

Współwytwórcy:

Grodecki, Kacper
Strupiński, Włodzimierz
Teodorczyk, Marian
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dobrzański, Lech
Dąbrowska, Elżbieta
Maląg, Andrzej

Data publikacji:

2008

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 34.

Tytuł:

Influence of the thermal annealing on hydrogen concentration in GaN layers – SIMS characterization

Współwytwórcy:

Jakieła, Rafał
Wesołowski, Marek
Jasik, Agata
Strupiński, Włodzimierz
Góra, Krzysztof
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Kosiel, Kamil.

Data publikacji:

2002

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 35.

Tytuł:

Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]

Współwytwórcy:

Wójcik, Marek
Wierzbicka, Edyta
Caban, Piotr
Sathish, N.
Strupiński, Włodzimierz
Gaca, Jarosław
Pągowska, K.
Turos, Andrzej

Data publikacji:

2011

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 36.

Tytuł:

Wpływ trawienia podłozy 4H-SiC na epitaksję GaN

Współwytwórcy:

Wójcik, Marek
Caban, Piotr
Ratajczak, R.
Strupiński, Włodzimierz
Szmidt, J.
Kościewicz, Kinga
Pągowska, K.
Gaca, Jarosław
Turos, Andrzej

Data publikacji:

2008

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 37.

Tytuł:

Zastosowanie oprogramowania wspomagającego kontrolowanie procesu epitaksji związków półprzewodnikowych w technologii MOCVD

Współwytwórcy:

Wesołowski, Marek
Nizel, Jacek
Czołak, Dariusz
Caban, Piotr
Strupiński, Włodzimierz
Dumiszewska, Ewa
Lenkiewicz, Dariusz
Kościewicz, Kinga
Zynek, Jadwiga

Data publikacji:

2007

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 38.

Tytuł:

Badanie profilu składu chemicznego i lateralnej jednorodności studni kwantowych związków półprzewodnikowych AIII BV

Współwytwórcy:

Wójcik, Marek
Jasik, Agata
Strupiński, Włodzimierz
Eichhron, Frank
Prokert, Friedrich
Gaca, Jarosław
Turos, Andrzej
Kosiel, Kamil.
Zynek, Jadwiga

Data publikacji:

2005

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 39.

Tytuł:

Epitaxial graphene perfection vs. SIC substrate quality

Współwytwórcy:

Kowalski, Grzegorz (fizyk)
Olszyna, Andrzej R.
Tokarczyk, Mateusz
Strupiński, Włodzimierz
Kościewicz, Kinga
Grodecki, Kacper
Baranowski, Jacek (fizyk)
Teklińska, Dominika

Tematy:

Ciało stałe

Pokaż więcej

Data publikacji:

2011

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 40.

Tytuł:

Problems with creaking of AlxGa1-xN layers

Współwytwórcy:

Jakieła, Rafał
Wesołowski, Marek
Jasik, Agata
Strupiński, Włodzimierz
Dumiszewska, Ewa
Lenkiewicz, Dariusz
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Politechnika Warszawska
Instytut Fizyki PAN

Data publikacji:

2005

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 41.

Tytuł:

Zastosowanie warstw azotków do konstrukcji filtrów z powierzchniową fala akustyczną

Współwytwórcy:

Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Paszkiewicz, Regina
Paszkiewicz, Bogdan
Tłaczała, Marek
Strupiński, Włodzimierz
Teodorczyk, Marian
Dumiszewska, Ewa
Szyszka, Adam
Instytut Technologii Elektronowej

Data publikacji:

2004

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 42.

Tytuł:

Kwantowy efekt Halla w epitaksjalnym grafenie otrzymanym w ITME

Współwytwórcy:

Stankiewicz, Rafał
Kozłowski, Andrzej
Borysiewicz, Marta
Uniwersytet Warszawski. Wydział Fizyki. Instytut Fizyki Doświadczalnej im. Stefana Pieńkowskiego
Strupiński, Włodzimierz
Góra, Krzysztof
Stańczyk, Beata
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dobrzański, Lech

Data publikacji:

2012

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 43.

Tytuł:

Skaningowy mikroskop tunelowy do badań nanostruktur grafenowych

Współwytwórcy:

Politechnika Wrocławska. Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki
Kopiec, Daniel
Zawierucha, Paweł
Wielgoszewski, Grzegorz
Rudek, Maciej
Zielony, Michał
Strupiński, Włodzimierz
Gotszalk, Teodor Paweł
Gajewski, Krzysztof
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Moczała, Magdalena

Data publikacji:

2013

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 44.

Tytuł:

Tranzystory z grafenu epitaksjalnego

Współwytwórcy:

Stankiewicz, Rafał
Kozłowski, Andrzej
Borysiewicz, Marta
Uniwersytet Warszawski. Wydział Fizyki. Instytut Fizyki Doświadczalnej im. Stefana Pieńkowskiego
Strupiński, Włodzimierz
Góra, Krzysztof
Stańczyk, Beata
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dobrzański, Lech
Gierałtowska, Sylwia
Instytut Fizyki PAN

Data publikacji:

2013

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 45.

Tytuł:

The sensibility of resistance sensor structures with graphene to the action of selected gaseous media

Współwytwórcy:

Drewniak, S.
Procek, M.
Opilski, Z.
Pustelny, Tadeusz (1950- )
Stolarczyk, A.
Setkiewicz, M.
Strupiński, Włodzimierz
Urbańczyk, Marian
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Pasternak, I.
Gut, K.
Politechnika Śląska. Wydział Elektryczny. Katedra Optoelektroniki
Politechnika Śląska. Wydział Chemiczny. Katedra Fizykochemii i Technologii Polimerów
Maciak, E.

Data publikacji:

2013

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 46.

Tytuł:

Charge transfer in 1T-TaS₂/graphene hybrid structures studied by spatially resolved Raman spectroscopy

Współwytwórcy:

Stępniewski, Roman. Autor
Binder, Johannes Roman. Autor
Łacińska, Ewa. Autor
Dąbrowski, Paweł (fizyk) Autor
Kowalczyk, Paweł Janusz Autor
Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej (Uniwersytet Łódzki)
Rogoża, Jakub Autor
Strupiński, Włodzimierz. Autor
Wydział Fizyki (Politechnika Warszawska)
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Rogala, Maciej (fizyk) Autor
Wysmołek, Andrzej. Autor
Lutsyk, Iaroslav Autor
Klusek, Zbigniew (1963-2019) Autor

Tematy:

Nośniki ładunku
Grafen
Materiały hybrydowe
Właściwości fizyczne
Spektroskopia Ramana

Pokaż więcej

Data publikacji:

2021

Dostawca treści:

Academica

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 47.

Tytuł:

Determination of electrical and thermal parameters of vertical-cavity surface-emitting lasers

Autorzy:

Śpiewak, Patrycja
Gębski, Marcin
Strupiński, Włodek
Czyszanowski, Tomasz
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Sarzała, Robert P.
Nakwaski, Włodzimierz
Wasiak, Michał

Tematy:

TLM
thermal resistance
VCSEL
AlGaAs

Pokaż więcej

Data publikacji:

2023

Wydawca:

Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN

Dostawca treści:

Biblioteka Nauki

/5

Artykuł

• na półce

Szczegóły