Wszystkie pola: Kozubal Michał

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej = New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method
Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 3
Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Mawłowski Marek
Brzozowski Michał
Pawłowski Michał
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 1
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska
Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska = Effect shallow impurities on the properties and concentrations of deep-level defect centres in SiC
Prace doktorskie
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Effect of donor concentration on parameters and concentration of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
Wpływ koncentracji donorów na właściwości i koncentrację centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Deep defect centres in ultra-high-resistivity FZ silicon
Electronic Materials V. 42 No 4
Materiały Elektroniczne T. 42 Nr 4
Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Krupka Jerzy
Kozłowski Roman
Kozubal Michał
Żelazko Jarosław
Wodzyński Maciej
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: ITME.
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja