Temat: tunneling current - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "tunneling current" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-4 z 4

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: SOI nanodevices and materials for CMOS ULSI
Autorzy:: Palestra, F.
Tematy:: ballistic transport
gate misalignment
GIFBE
mobility enhancement
SOI
strain engineering
tunneling current; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Analysis and investigation of Schottky barrier MOSFET current injection with process and device simulation
Autorzy:: Schwarz, Mike
Calvet, Laurie E.
Snyder, John P.
Krauss, Tillmann
Schwalke, Udo
Kloes, Alexander
Tematy:: Poisson equation
device simulation
field emission
modeling
MOSFET
process simulation
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
tunneling current
równanie Poissona
emisja polowa
modelowanie
symulacja procesu
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd tunelowy; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Autorzy:: Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A.
Tematy:: 2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
dwuwymiarowe równanie Poissona
modelowanie elementów elektronicznych
dwubramkowy tranzystor MOS
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: High-field current transport and charge trapping in buried oxide of SOI materials under high-field electron injection
Autorzy:: Nazarov, A.N.
Houk, Y.
Kilchytska, V.I.
Tematy:: Fowler-Nordheim current
trap-assisted tunneling
silicon-on-insulator
buried oxide
SIMOX
UNIBOND
anode hole injection
band-to-band impact ionization; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-4 z 4

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies