- Tytuł:
-
Deep-level defects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons
Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii - Autorzy:
-
Kaminski, P.
Kozubal, M.
Caldwell, J. D.
Kew, K. K.
Van Mil, B. L.
Myers-Ward, R. L.
Eddy, C. R. jr.
Gaskill, D. K. - Tematy:
-
4H-SiC
DLTS
pułapka elektronowa
defekt punktowy
electron trap
point defects - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł