Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "pułapka elektronowa" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Deep-level defects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons
Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii
Autorzy:
Kaminski, P.
Kozubal, M.
Caldwell, J. D.
Kew, K. K.
Van Mil, B. L.
Myers-Ward, R. L.
Eddy, C. R. jr.
Gaskill, D. K.
Tematy:
4H-SiC
DLTS
pułapka elektronowa
defekt punktowy
electron trap
point defects
Pokaż więcej
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons = Głębokie centra defektowe w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC napromieniowanych elektronami o niskiej energii
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 3/4
Deep-level deffects in epitaxial 4H-SiC irradiated with low-energy electrons
Autorzy:
Kamiński Paweł
Data publikacji:
2010
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień = Electron traps in silicon annealed under high pressure
Materiały Elektroniczne 1996 T.24 nr 1
Pułapki elektronowe w krzemie wygrzewanym w warunkach wysokich ciśnień
Autorzy:
Kamiński Paweł
Współwytwórcy:
Misiuk Andrzej
Kozłowski Roman
Data publikacji:
1996
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies