- Tytuł:
- Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
- Autorzy:
-
Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A. - Tematy:
-
2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
dwuwymiarowe równanie Poissona
modelowanie elementów elektronicznych
dwubramkowy tranzystor MOS
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2017
- Wydawca:
- Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł