- Tytuł:
- Analysis and optimization of LUDMOS transistors on a 0.18um SOI CMOS technology
- Autorzy:
-
Toulon, G.
Cortés, I.
Morancho, F.
Villard, B. - Tematy:
-
moc MOSFET
LDMOS
RESURF
STI (płytki rów izolacyjny)
krzem na izolatorze
power MOSFET
STI (shallow trench isolation)
superjunction
silicon-on-insulator - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł