Temat: krzemowa warstwa epitaksjalna

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1980 nr 3/4(31/32)
Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures
Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych
Autorzy:: Tomaszewski Jacek
Współwytwórcy:: Korec Jacek
Brzozowski Andrzej
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Data publikacji:: 1981
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1
Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Wpływ zanieczyszczeń metalicznych na profil sygnału EBIC w krzemowych strukturach epitaksjalnych = Influence of metalic contaminations on EBIC signal profiles in silicon epilayers
Autorzy:: Pawłowska Marta
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem
Głębokie centra defektowe w krzemowych warstwach epitaksjalnych zanieczyszczonych żelazem= Deep-level defects in Fe-contaminated epitaxial silicon
Materiały Elektroniczne 1995T.23 nr 1
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 1
Autorzy:: Plewa Dariusz
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties
Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Skwarcz Jerzy
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1991 nr 3(75)
Wpływ getterowania laserowego na czas życia nośników mniejszościowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej
Wpływ getterowania laserowego na czas życia nośników mniejszościowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej = The effect of laser gettering on minority carier-lifetime in silicon epitaxial layers
Autorzy:: Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:: Niechoda Z.
Nowicki M.
Turos Andrzej
Siennicki A.
Data publikacji:: 1991
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon
Autorzy:: Sarnecki, J.
Brzozowski, A.
Lipiński, D.
Tematy:: warstwa epitaksjalna
krzem porowaty
CVD
folia krzemowa
epitaxial layer
porous silicon
silicon foil; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Electronic Materials Vol. 42 Nr 1
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
Materiały Elektroniczne. T. 42 Nr 1
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego = A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon
Autorzy:: Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja