Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "izolator topologiczny" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-8 z 8
Tytuł:
Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion / Andrzej Materna.
Otrzymywanie polarnego półprzewodnika BiTeI, wykazującego silną asymetrię inwersji
Autorzy:
Materna Andrzej
Materna, Andrzej
Współwytwórcy:
Materna Andrzej
Data publikacji:
2017
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Wpływ składu chemicznego fazy ciekłej na własności niedomieszkowanych kryształów Bi2Se3
Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 3
Wpływ składu chemicznego fazy ciekłej na własności niedomieszkowanych kryształów Bi2Se3 = Influence of chemical composition of the melt on physical properties of Bi2Se3 crystals
Autorzy:
Hruban Andrzej
Współwytwórcy:
Strzelecka Stanisława
Materna Andrzej
Romaniec Magdalena
Diduszko Ryszard
Jurkiewicz-Wegner Elżbieta
Wołoś Agnieszka
Dalecki Wojciech
Orłowski Wacław
Piersa Mirosław
Data publikacji:
2013
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Wpływ składu chemicznego fazy ciekłej na własności niedomieszkowanych kryształów Bi2Se3
Influence of chemical composition of the melt on physical properties of Bi2Se3 crystals
Autorzy:
Hruban, A.
Materna, A.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Diduszko, R.
Romaniec, M.
Dalecki, W.
Wołoś, A.
Tematy:
selenek bizmutu
Bi2Se3
izolator topologiczny
struktura pasmowa
wytrącenia Se
bismuth selenide
topological insulator
band structure
precipitates Se
Pokaż więcej
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Preparation of a BiTeI polar semiconductor with a strong asymmetric inversion
Otrzymywanie polarnego półprzewodnika BiTeI, wykazującego silną asymetrię inwersji
Autorzy:
Materna, A.
Tematy:
topological insulator
BiTeX (X = I, Br, Cl) compounds
VB method
CVT method
izolator topologiczny
związki BiTeX (X = i, Br, cl)
krystalizacja metodą VB
krystalizacja metodą CVT
Pokaż więcej
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-8 z 8

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies