- Tytuł:
- DC and low-frequency noise analysis for buried SiGe channel metamorphic PMOSFETs with high Ge content
- Autorzy:
-
Durov, S.
Mironov, O. A.
Myronov, M.
Whall, T. E.
Parker, E. H. C.
Hackbarth, T.
Hoeck, G.
Herzog, H. J.
König, U.
Känel von, H. - Tematy:
-
SiGe
metamorphic MOSFET
LF-noise
I-V
C-V
effective hole mobility - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2005
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł