Temat: high-k dielectrics - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "high-k dielectrics" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-6 z 6

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Review and perspective of high-k dielectrics on silicon
Autorzy:: Hall, S.
Buiu, O.
Mitrovic, I. Z.
Lu, Y.
Davey, W. M.
Tematy:: high-k dielectrics
dielectric constant
hafnia
interfacial layer
aluminates
silicates; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties
Autorzy:: Schwalke, U.
Tematy:: high-k dielectrics
CMOS
Pr2O3
process integration
resist removal
wet chemical cleaning
wet chemical etching
RIE; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2005
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Comparison of gate leakage current components in metal-insulator-semiconductor structures with high-k gate dielectris
Autorzy:: Janik, T.
Jakubowski, A.
Majkusiak, B.
Korwin-Pawłowski, M.
Tematy:: MIS structures
ultrathin dielectrics
high-k dielectrics; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers
Autorzy:: Engström, O.
Raeissi, B.
Piscator, J.
Mitrovic, I. Z.
Hall, S.
Gottlob, H. D. B.
Schmidt, M.
Hurley, P. K.
Cherkaoui, K.
Tematy:: defects
dielectrics
high-k
metal oxide semiconductor; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Characterization of Al2O3/4H-SiC and Al2O3/SiO2/4H-SiC MOS structures
Autorzy:: Taube, A.
Guziewicz, M.
Kosiel, K.
Gołaszewska-Malec, K.
Król, K.
Kruszka, R.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Tematy:: aluminum oxide
MOS
silicon carbide
4H-SiC
high-K dielectrics
tlenek glinu
węglik krzemu
dielektryki high-k; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Challenges for 10 nm MOSFET process integration
Autorzy:: Östling, M.
Malm, B. G.
Haartman, M.
Hallstedt, J.
Zhang, Z.
Hellström, P. E.
Zhang, S.
Tematy:: sstrained silicon
silicon-germanium
silicon-on-insulator (SOI)
high-k dielectrics
hafnium oxide
nanowire
low frequency noise
mobility
metal gate; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-6 z 6

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies