Temat: bipolar transistor - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "bipolar transistor" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-7 z 7

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base
Autorzy:: Zaręba, A.
Łukasiak, L.
Jakubowski, A.
Tematy:: heterojunction bipolar transistor
SiGe
base width modulation; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Compact nanosecond pulse generator based on IGBT and spark gap cooperation
Autorzy:: Achour, Y.
Starzyński, J.
Łasica, A.
Tematy:: pulsed power
nanosecond generator
Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
spark gap
avalanche mode Bipolar Junction Transistor; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Optimization of selected parameters of SiGe HBT transistors
Autorzy:: Zaręba, A.
Jakubowski, A.
Tematy:: heterojunction bipolar transistor
base transit time
current gain; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Study of electro-thermal stress of IGBT devices
Autorzy:: Shaban, M. A.
Ettomi, Y.
Tematy:: electro-thermal stress
IGBT
Insulated Gate Bipolar Transistor; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Properties and benefits of fluorine in silicon and silicon-germanium devices
Autorzy:: Ashburn, P.
El Mubarek, H. A. W.
Tematy:: bipolar transistor
boron diffusion
fluorine
passivation of interface states
polysilicon emitter; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Przetwornice statyczne dużej mocy z elementami SiC do pojazdów trakcyjnych
High Power Static Converters for Traction Vehicles Powered by SiC Technology
Autorzy:: Biliński, J.
Buta, S.
Tematy:: węglik krzemu
przetwornice statyczne
pojazdy trakcyjne
IGBT
silicon carbide
Static converters
traction motor
insulated gate bipolar transistor; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Spice simulation of substrate potential shift in HVCMOS technologies
Autorzy:: Stefanucci, C.
Buccella, P.
Kayal, M.
Sallese, J.-M.
Tematy:: Smart Power ICs
HVCMOS modeling
vertical bipolar transistor
substrate potential shift
Smart Power
modelowanie HVCMOS
pionowy tranzystor bipolarny; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-7 z 7

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies