Temat: SI crystal - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "SI crystal" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-6 z 6

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
Autorzy:: Strzelecka, S.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Surma, B.
Tematy:: GaP
obróbka termiczna
materiał półizolujący
własności elektryczne
annealing
SI crystal
electrical properties; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP = Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Autorzy:: Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Localized f electron aspect in heavy-germion intermetallic YbRh₂Si₂
Autorzy:: Radwanski, R.
Nalecz, D.
Fedyk, S.
Ropka, Z.
Tematy:: Heavy fermion
crystal field
Kondo resonance
YbRh₂Si₂; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2018-03
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1976 nr 1(13)
Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem = Research in receiving of homogeneous silicon monocrystals strong doped with antimony
Badanie nad otrzymywaniem jednorodnych monokryształów krzemu domieszkowanych antymonem
Autorzy:: Bukowski Andrzej
Współwytwórcy:: Błażewicz Jan
Drągowski Janusz
Data publikacji:: 1976
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)
Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej
Badanie niejednorodności w bezdyslokacyjnych monokryształach krzemu po transmutacji neutronowej = The investigation of heterogeneities in neutron transmulated silicon single crystals
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Bukowski Andrzej
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection
Materiały Elektroniczne 1988 nr 3(63)
Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs
Autorzy:: Pawłowska Marta
Współwytwórcy:: Dąbrowska Irena
Orłowski Wacław
Data publikacji:: 1988
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-6 z 6

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies