Temat: InGaN/GaN - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "InGaN/GaN" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-5 z 5

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Electroluminescence of InGaN/GaN heterostructures at the reverse bias and nitrogen temperature
Autorzy:: Veleschuk, V
Vlasenko, A
Kisselyuk, M
Vlasenko, Z
Khmil, D
Borshch, V
Tematy:: electroluminescence at reverse bias
InGaN/GaN heterostructures
defect; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: ITO layer as an optical confinement for nitride edge-emitting lasers
Autorzy:: Kuc, M.
Sokół, A. K.
Piskorski, Ł.
Dems, M.
Wasiak, M.
Sarzała, R. P.
Czyszanowski, T.
Tematy:: edge-emitting lasers
InGaN/GaN
computer simulation
ITO
optical confinement; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a sapphire substrate
Autorzy:: Wójcik, M.
Strupiński, W.
Rudziński, M.
Gaca, J.
Tematy:: HRXRD
heterostruktura
interfejs
GaN
InGaN
heterostructure
interface; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym = HRXRD investigation of the chemical composition profile in the GaN/InGaN heterostructures grown by the MOCVD method on a saphire substrate
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
Rentgenowska metoda określania profilu składu chemicznego w heterostrukturach GaN/InGaN otrzymywanych metodą MOCVD na podłożu szafirowym
Autorzy:: Wójcik Marek
Współwytwórcy:: Rudziński Mariusz
Gaca Jarosław
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Modelowanie zjawiska spadku sprawności dla dużych gęstości prądów w diodach elektroluminescencyjnych z azotków
Modeling of efficiency droop effect in GaN leds
Autorzy:: Cegielski, T.
Tematy:: oświetlenie
elektroliminescencja
LED
GaN
InGaN
wewnetrzna sprawność kwantowa
studnia kwantowa
rekombinacja
spadek sprawności
solid state lighting
internal quantum efficiency
quantum well
recombination
efficiency droop; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-5 z 5

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies