Temat: HRPITS - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplacea otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na powstawie prążków widmowych Laplacea otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu = Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 1
Autorzy:: Kozłowski Roman
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Żelazko Jarosław
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wyznaczanie koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych na podstawie prążków widmowych Laplacea otrzymywanych w wyniku analizy relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
Determining defect center concentration in high-resistivity semiconductors from the Laplace spectral fringes obtained by the analysis of the photocurrent relaxation waveforms
Autorzy:: Kozłowski, R.
Kamiński, P.
Żelazko, J.
Tematy:: HRPITS
radiacyjne centrum defektowe
Si
procedura Laplace'a
radiation defect centres
Laplace procedure; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu = Effect of photon flux on HRPITS spectral images for radiation defect centers in silicon single crystals
Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu
Autorzy:: Kozłowski Roman
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Żelazko Jarosław
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wpływ strumienia fotonów na obrazy prążków widmowych HRPITS dla radiacyjnych centrów defektowych w monokryształach krzemu
Effect of Photon flux on HRPITS spectral images for radiation defect centres in Silicon single crystals
Autorzy:: Kozłowski, R.
Kamiński, P.
Żelazko, J.
Tematy:: HRPITS
radiacyjne centra defektowe
Si
radiation defect centres; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ parametrów procedury numerycznej CONTIN na kształt prążków widmowych otrzymywanych w wyniku analizy temperaturowych zmian relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
Influence of the CONTIN numerical procedure parameters on the shape of the spectral fringes obtained through the analysis of the temperature changes of the photocurrent relaxation waveforms
Autorzy:: Żelazko, J.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Tematy:: HRPITS
CONTIN
radiacyjne centra defektowe
prążki widmowe
radiation defect centres
spectral fringes; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Problemy metrologiczne związane z wyznaczaniem koncentracji centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych o szerokiej przerwie energetycznej
Metrological issues related to estimation of defect center concentration in high-resistivity wide bandgap semiconductors
Autorzy:: Miczuga, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, P.
Kopczyński, K.
Tematy:: centra defektowe
emisja termiczna
HRPITS
SI GaP
defect centers
thermal emission; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. = High resolution photoinduced transient spectroscopy as a new characterization method of defect centres in high resistivity semiconductors
Niestacjonarna spektroskopia fotoprądowa o dużej rozdzielczości jako nowa metoda badania centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych. Rozprawa doktorska
Autorzy:: Kozłowski Roman
Współwytwórcy:: Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:: 2001
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Influence of the CONTIN numerical procedure parameters on the shape of the spectral fringes obtained through the analysis of the temperature changes of the photocurrent relaxation waveforms
Electronic Materials Vol. 43 Issue 4
Materiały Elektroniczne T. 43 Nr 4
Wpływ parametrów procedury numerycznej CONTIN na kształt prążków widmowych otrzymywanych w wyniku analizy temperaturowych zmian relaksacyjnych przebiegów fotoprądu
Autorzy:: Żelazko Jarosław
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
Deep defect centers in ultra-high-resistivity FZ silicon
Autorzy:: Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Krupka, J.
Kozubal, M.
Wodzyński, M.
Żelazko, J.
Tematy:: głębokie centra defektowe
HRPITS
krzem o bardzo wysokiej rezystywności
deep defect centers
ultra-high-resistivity silicon; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Deep defect centres in ultra-high-resistivity FZ silicon
Electronic Materials V. 42 No 4
Materiały Elektroniczne T. 42 Nr 4
Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Krupka Jerzy
Kozłowski Roman
Kozubal Michał
Żelazko Jarosław
Wodzyński Maciej
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: ITME.
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "HRPITS" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Temat

Słowa kluczowe

Autor

Typ dokumentu

Język

Forma i typ

Kolekcja