- Tytuł:
- Topographic and Reflectometric Investigation of Crystallographic Defects and Surface Roughness in 4H Silicon Carbide Homoepitaxial Layers Deposited at Various Growth Rates
- Autorzy:
-
Wierzchowski, W.
Wieteska, K.
Mazur, K.
Kościewicz, K.
Balcer, T.
Strupiński, W.
Paulmann, C. - Tematy:
-
61.05.cm
61.72.Ff
61.72.up - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2012-04
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł