Autor: Raguotis, R. - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Raguotis, R." wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-7 z 7

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: LO-phonon band filling by means of charge carriers accelerated in electric fields
Autorzy:: Raguotis, R.
Współwytwórcy:: Brazis, R.
Data publikacji:: 2011
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: LO-Phonon Band Filling by Means of Charge Carriers Accelerated in Electric Fields
Autorzy:: Raguotis, R.
Brazis, R.
Tematy:: 78.45.+h
78.30.-j
42.55.-f
72.10.-d
72.20.Ht; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2011-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Monte Carlo Treatment of Non-Equilibrium Processes in n-Type InSb Crystals
Autorzy:: Ašmontas, S.
Raguotis, R.
Tematy:: 52.65.Pp
72.10.-d
72.10.Fk
72.20.Dp; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2008-03
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: The Influence of Phonon Emission on Electron Transport in Hexagonal and Cubic Gallium Nitride
Autorzy:: Brazis, R.
Raguotis, R.
Tematy:: 72.10.-d
72.20.Ht
72.80.Ey; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2005-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Transient Response of Electrons and Phonons in ZnTe Crystals
Autorzy:: Brazis, R.
Raguotis, R.
Tematy:: 72.10.Di
72.20.Ht
72.15.Lh
78.45.+h; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2008-03
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Third-Order Susceptibility of Silicon Crystals Measured with Millimeter-Wave Gyrotron
Autorzy:: Narkowicz, R.
Siegrist, M.
Moreau, Ph.
Hogge, J.
Raguotis, R.
Brazis, R.
Tematy:: 42.65.Ky
72.20.Ht; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2011-04
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Third-order susceptibility of silicon crystals [-4pt] measured with millimeter-wave gyrotron
Autorzy:: Narkowicz, R.
Współwytwórcy:: Moreau, Ph.
Siegrist, M. R.
Hogge, J. P.
Brazis, R.
Raguotis, R.
Data publikacji:: 2011
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-7 z 7

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wyszukujesz frazę "Raguotis, R." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język

Kolekcja