Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki BIBLIOTEKA UCZELNIANA PANS W PRZEMYŚLU  Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaBIBLIOTEKA UCZELNIANA PANS W PRZEMYŚLU 

Wyszukujesz frazę "Palczewska Maria" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)
    Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu
    Pewne własności defektów typu "antisite" w napromieniowanym neutronami termicznymi arsenku galu = On some properties of "antisite" defects in neutron irradiated GaAs
    Materiały Elektroniczne 1986 nr 2(54)
    Autorzy:
    Wosik Jarosław
    Współwytwórcy:
    Palczewska Maria
    Data publikacji:
    1986
    Wydawca:
    Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR = Characterisation of paramagnetic defects in semiconductor compunds of AIIIBV type with ESR methodn
    Charakteryzacja defektów paramagnetycznych w związkach półprzewodnikowych typu AIIIBV metodą ESR
    Prace ITME 1995 z. 45
    Autorzy:
    Palczewska Maria
    Data publikacji:
    1995
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5. Praca doktorska
    Wykorzystanie metody ESR do charakteryzacji defektów paramagnetycznych w półprzewodnikowych kryształach należących do grupy A3B5 = The use of ESR method for characterization of paramagnetic defects in semiconductor A3B5 crystals
    Autorzy:
    Palczewska Maria
    Współwytwórcy:
    Kamińska, Maria. Promotor.
    Data publikacji:
    1993
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami = ESR study of paramagnetic defects in electron-irradiated InP and GaAs crystals
    Materiały Elektroniczne 1988 nr 3(63)
    Badanie metodą ESR półizolacyjnych kryształów GaAs i InP naświetlanych elektronami
    Autorzy:
    Jabłoński Ryszard
    Współwytwórcy:
    Nowysz Karol
    Palczewska Maria
    Hruban Andrzej
    Orłowski Wacław
    Data publikacji:
    1988
    Wydawca:
    Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies