- Tytuł:
- Development of 3C-SiC MOSFETs
- Autorzy:
-
Bakowski, M.
Schöner, A.
Ericsson, P.
Strömberg, H.
Nagasawa, H.
Masayuki, A. - Tematy:
-
vertical MOSFET
3C-SiC
channel mobility - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2007
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł