Autor: Możdżonek, M. - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Zastosowanie fourierowskiej spektroskopii absorpcyjnej w podczerwieni do badania interfejsu SiO2//Si w łączonych strukturach SOI
Infrared spectroscopic analysis of the SiO2//Si interface of soi structures
Autorzy:: Możdżonek, M.
Piątkowski, B.
Kozłowski, A.
Tematy:: spektroskopia absorpcyjna w podczerwieni
interfejs SiO2//Si
badanie tlenków; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Określanie koncentracji azotu w monokryształach krzemu otrzymywanych metodą Czochralskiego na podstawie widm absorpcyjnych w zakresie dalekiej podczerwieni
Determination of nitrogen concentration in Czochralski silicon crystals from the far infrared absorption spectra
Autorzy:: Możdżonek, M.
Zabierowski, P.
Majerowski, B.
Tematy:: monokryształ krzemu
domieszkowanie kryształów krzemu
metoda Czochralskiego
widmo absorpcyjne
daleka podczerwień; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wpływ porowatości na własności optyczne ceramiki MgAl₂O₄ w podczerwieni
Influence of residual pores on optical properties of MgAl₂O₄ ceramics in the infrared range
Autorzy:: Możdżonek, M.
Wajler, A.
Węglarz, H.
Tematy:: ceramika przezroczysta
MgAl2O4
porowatość
własność optyczna
transparent ceramic
porosity
optical properties; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Zastosowanie spektroskopii odbiciowej w dalekiej podczerwieni do charakteryzacji zwierciadeł Bragga z AlAs/GaAs
Application of the far-infrared reflectance spectroscopy to characterization of AlAs/ GaAs Bragg mirrors
Autorzy:: Możdżonek, M.
Gaca, J.
Wesołowski, M.
Tematy:: zwierciadło Bragga
GaAs/AlAs
widmo odbicia
daleka podczerwień
DBR
Bragg mirror
far-infrared; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Grafen otrzymywany metodą elektrolityczną na podłożach z węglika krzemu
Graphene obtained by electrolytic method on silicon carbide substrates
Autorzy:: Stańczyk, B.
Dobrzański, L.
Jagoda, A.
Możdżonek, M.
Natarajan, S.
Tematy:: grafen
metoda elektrolityczna
graphene
electrochemical metod; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu
SiCN films deposited by RF magnetron sputtering
Autorzy:: Stańczyk, B.
Jagoda, A.
Dobrzański, L.
Caban, P.
Możdżonek, M.
Tematy:: SiCN
sputtering
widmo podczerwieni
widmo optycznej absorpcji
dyfrakcja rentgenowska
SIMS
rf sputtering
absorption spectrum
IR spectrum
X-ray diffraction; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: A Study on Antiwear Properties of Graphene Water-Based Lubricant and its Contact with Metallic Materials
Badania właściwości antyzużyciowych smaru grafenowego na bazie wody. Kontakt smaru z materiałami metalicznymi
Autorzy:: Piątkowska, A.
Romaniec, M.
Grzybek, D.
Możdżonek, M.
Rojek, A.
Diduszko, R.
Tematy:: graphene flakes
lubricant
friction
wear
oxidation
płatki grafenowe
smar
tarcie
zużycie
utlenianie; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Opracowanie metody ujawniania położenia złącza LH typu n+n oraz p+p w strukturach epitaksjalnych z SiC metodą chemicznego barwienia
Identification of position of the n+n and p+p LH junctions in epitaxial SiC layers by chemical decoration
Autorzy:: Przyborowska, K.
Dobrzański, L.
Możdżonek, M.
Surma, B.
Brzozowski, A.
Łapińska, B.
Tematy:: SiC
grubość warstwy epitaksjalnej
chemiczne barwienie
thickness of epitaxial layer
chemical decoration; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP
Silicon nitride for InP based planar photodiode applications
Autorzy:: Zynek, J.
Hejduk, K.
Klima, K.
Możdżonek, M.
Stonert, A.
Turos, A.
Rzodkiewicz, W.
Tematy:: azotek krzemu
PECVD
fotodioda planarna
InP
silicon nitride
planar photodiode; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Możdżonek, M." wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język

Kolekcja