Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki BIBLIOTEKA UCZELNIANA PANS W PRZEMYŚLU  Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaBIBLIOTEKA UCZELNIANA PANS W PRZEMYŚLU 

Wyszukujesz frazę "Mirowska Aleksandra" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-22 z 22
    Tytuł:
    Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem
    Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem = Homogenity of electrical paremeters of tellurium-doped gallium antimonide single crystals
    Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 4
    Autorzy:
    Mirowska Aleksandra
    Współwytwórcy:
    Orłowski Wacław
    Piersa Mirosław
    Data publikacji:
    2011
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
    Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3" zmodyfikowaną metodą Czochralskiego = Evaluation of growth conditions for 3" gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method
    Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3 zmodyfikowaną metodą Czochralskiego
    Autorzy:
    Mirowska Aleksandra
    Współwytwórcy:
    Orłowski Wacław
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p
    Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 1
    Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p = Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity
    Autorzy:
    Mirowska Aleksandra
    Współwytwórcy:
    Orłowski Wacław
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
    Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
    Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą = Czochralskiego = Growth of gallium antimonide single crystals in <111> and <100) directions by Czochralski method
    Autorzy:
    Mirowska Aleksandra
    Współwytwórcy:
    Orłowski Wacław
    Hruban Andrzej
    Bańkowska Anna
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Nowoczesne materiały termoelektryczne - przegląd literaturowy = Advanced thermoelectric materials - literature review
    Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
    Nowoczesne materiały termoelektryczne - przegląd literaturowy
    Autorzy:
    Królicka Aleksandra
    Współwytwórcy:
    Mirowska Aleksandra
    Hruban Andrzej
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji <100> oraz <111> = Difficulties in 4" gallium phosphide (GaP) single crystals growing in <100> or <111> direction
    Materiały Elektroniczne 2010 T.38 nr 2
    Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji <100> oraz <111>
    Autorzy:
    Orłowski Wacław
    Współwytwórcy:
    Mirowska Aleksandra
    Strzelecka Stanisława
    Hruban Andrzej
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
    Wpływ cząstek wody w B2O3 na właściwości niekomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego = The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single
    Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
    Autorzy:
    Orłowski Wacław
    Współwytwórcy:
    Mirowska Aleksandra
    Strzelecka Stanisława
    Hruban Andrzej
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową = Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the liquid encapsulated Czochralski method
    Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów Si GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
    Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 3
    Autorzy:
    Hruban Andrzej
    Współwytwórcy:
    Strzelecka Stanisława
    Materna Andrzej
    Dalecki Wojciech
    Orłowski Wacław
    Mirowska Aleksandra
    Piersa Mirosław
    JJurkiewicz-Wegner Elżbieta
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
    Tytuł:
    Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
    Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
    Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2
    Autorzy:
    Hruban Andrzej
    Współwytwórcy:
    Piersa, Mirosław.
    Piersa Mirosław
    Orłowski Wacław
    Jurkiewicz-Wegner Elżbieta
    Mirowska Aleksandra
    Rojek Anna
    Strzelecka Stanisława
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    ITME
    Dostawca treści:
    RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
    Książka
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-22 z 22

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies