- Tytuł:
- The Effect of Phosphorus Incorporation into $SiO_2$/4H-SiC (0001) Interface on Electrophysical Properties of MOS Structure
- Autorzy:
-
Król, K.
Konarski, P.
Miśnik, M.
Sochacki, M.
Szmidt, J. - Tematy:
-
81.16.Pr
77.84.Bw
77.55.Dj - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2014-11
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł