Autor: Dyczewski, J. - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Dyczewski, J." wg kryterium: Autor

Wyświetlanie 1-7 z 7

Zaznacz stronę

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Fabrication and Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Material and Transistors
Autorzy:: Kaczmarski, J.
Taube, A.
Dynowska, E.
Dyczewski, J.
Ekielski, M.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Tematy:: 81.05.Gc
81.15.Cd
85.30.Tv
72.80.Ng
73.61.Jc; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2013-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Response of ZnO/GaN Heterostructure to Ion Irradiation
Autorzy:: Barcz, A.
Pągowska, K.
Kozubal, M.
Guziewicz, E.
Borysiewicz, M.
Dyczewski, J.
Jakieła, R.
Ratajczak, J.
Snigurenko, D.
Dynowska, E.
Tematy:: 61.82.Fk
61.85.+p
68.35.Dv; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2015-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Analysis of Crystal Lattice Deformation by Ion Channeling
Autorzy:: Jóźwik, P.
Sathish, N.
Nowicki, L.
Jagielski, J.
Turos, A.
Kovarik, L.
Arey, B.
Shutthanandan, S.
Jiang, W.
Dyczewski, J.
Barcz, A.
Tematy:: 61.85.+p
68.55.Ln
02.70.Uu
68.37.Og; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2013-05
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Analysis of crystal lattice deformation by ion channeling
Współwytwórcy:: Jagielski, J.
Turos, Andrzej (1937- )
Barcz, S.
Jóźwik, P.
Dyczewski, J.
Nowicki, L.
Tematy:: Fizyka; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Opracowanie technologii otrzymywania toluenodiizocyjanianu w procesie fosgenowania toluenodiaminy w fazie gazowej
Development of technology for preparation of toluene diisocyanate in the process of gas-phase phosgenation of toluenediamine
Autorzy:: Szarlik, S.
Bałdyga, J.
Molga, E.
Jasińska, M.
Lewandowska, M.
Dyczewski, M.
Lewandowski, P.
Tematy:: toluenodiamina
toluenodiizocyjanian
fosgen
fosgenowanie TDA w fazie gazowej
toluenediamine
toluene diisocyanate
phosgene
gas-phase TDA phosgenation; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Chemii Przemysłowej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Fabrication and properties and amorphous In-Ga-Zn-O material and transistors
Współwytwórcy:: Taube, Andrzej
Kamińska, Eliana
Kaczmarski, Jakub
Dynowska, Elżbieta (fizyk)
Piotrowska, Anna (elektronik)
Dyczewski, J.
Ekielski, Marek
Tematy:: Fizyka; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Response of ZnO/GaN heterostructure to ion irradiation
Współwytwórcy:: Jakieła, Rafał
Ratajczak, Jacek (elektronik)
Kozubal, Michał
Borysiewicz, Michał
Guziewicz, Elżbieta
Snigurenko, Dymitr
Dynowska, Elżbieta (fizyk)
Pągowska, Karolina Danuta
Barcz, Adam
Dyczewski, J.
Tematy:: Tlenek cynku
Dyfraktometr rentgenowski - stosowanie
Azotek galu
Chemiczne osadzanie z fazy gazowej (CVD)
Półprzewodniki - fizyka
Mikroskop elektronowy - stosowanie
Implantacja jonów
Spektroskopia rozpraszania wstecznego Rutherforda
Aluminium - związki - fizyka
Ciało stałe - fizyka
Spektrometria mas jonów wtórnych; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2015
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-7 z 7

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies