- Tytuł:
- Evidence of Γ-Free or Bound-to-Deep Acceptor Character of the Y-1.2 eV Deep Photoluminescence Line in n-type Ge-doped GaAs Derived from High Hydrostatic Pressure Experiments in Diamond Anvil Cell
- Autorzy:
-
Dmochowski, J.
Stradling, R.
Prins, A.
Dunstan, D.
Adams, A.
Kukimoto, H. - Tematy:
- 71.55.Eq
- Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 1993-10
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł