Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Beck, R. B." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma
Autorzy:
Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Tematy:
capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
radio frequency reactive ion etching
Pokaż więcej
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
Autorzy:
Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B.
Tematy:
capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching
Pokaż więcej
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies