Wszystkie pola: Wodzińska, Halina

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
Materiały Elektroniczne 2013 T. 41 nr 4
Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym = High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties
Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Skwarcz Jerzy
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
Współwytwórcy:: Sarnecki, Jerzy
Brzozowski, Andrzej
Wodzińska, Halina
Lipiński, Dariusz
Data publikacji:: 2013
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 4
Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji
Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji = Generation of dislocation slips in Si wafers during epitaxial process
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Skwarcz Jerzy
Wodzińska Halina
Tkaczuk Andrzej
Nowotniak Helena
Zielińska Teresa
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: First tests of superthin, ion-implanted silicon strip detectors produced by low-temperature technique
Współwytwórcy:: Kozik, Tomasz (fizyk)
Gajewski, Mieczysław (chemik)
Kordyasz, Andrzej J.
Kownacki, Jan (fizyk)
Krzyżak, Konrad (elektronik)
Tarasiuk, Jerzy
Teodorczyk, Marian
Kowalska, Joanna (fizyk)
Kordyasz, Łukasz
Stolarz, Anna
Kisieliński, Maciej
Piasecki, Eryk
Tucholski, Andrzej (fizyk)
Lipiński, Dariusz (1955- )
Konop, Marek
Bednarek, Andrzej (fizyk)
Napiorkowski, Paweł Jan
Wolińska-Cichocka, Marzena
Kowalczyk, Michał (fizyka jądrowa)
Srebrny, Julian
Sibczyński, Paweł
Sarnecki, Jerzy (inżynieria materiałowa)
Zagojski, Andrzej
Wodzińska, Halina
Tematy:: Fizyka jądrowa - urządzenia
Krzem - stosowanie
Implantacja jonów - stosowanie
Fizyka doświadczalna - urządzenia
Detektor promieniowania - urządzenia; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2016
Dostawca treści:: Academica

Artykuł

Szczegóły

Informacja