Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Strupiński Włodzimierz" wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
Autorzy:
Gębski, Marcin
Śpiewak, Patrycja
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Głowadzka, Weronika
Nakwaski, Włodzimierz
Sarzała, Robert P.
Wasiak, Michał
Czyszanowski, Tomasz
Strupiński, Włodzimierz
Tematy:
semiconductor laser
GaAs
gallium arsenide
optical communication
VCSEL
laser półprzewodnikowy
arsenek galu
komunikacja optyczna
Pokaż więcej
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
First vertical-cavity surface-emitting laser made entirely in Poland
Autorzy:
Gębski, Marcin
Śpiewak, Patrycja
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Głowadzka, Weronika
Nakwaski, Włodzimierz
Sarzała, Robert P.
Wasiak, Michał
Czyszanowski, Tomasz
Strupiński, Włodzimierz
Tematy:
semiconductor laser
GaAs
gallium arsenide
optical communication
VCSEL
laser półprzewodnikowy
arsenek galu
komunikacja optyczna
Pokaż więcej
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji
Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 4
Charakteryzacja porównawcza podstawowych materiałów AIIIBV dla potrzeb epitaksji =
Autorzy:
Jasik Agata
Współwytwórcy:
Kosiel Kamil
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:
1997
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE) = InGaAs/InP heterostructures made using metalorganic vapor phase epitaxy
Wytwarzanie heterostruktur InP/InGaAs metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (MOVPE)
Autorzy:
Jasik Agata
Współwytwórcy:
Kosiel Kamil
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:
1998
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Deep level studies in GaP:N,S epitaxial layers udział w: IX Szkoła Fizyki, Zastosowań Monokryształów i Materiałów Ciekłokrystalicznych, Jurata 22-29.10.1990
Materiały Elektroniczne 2(74)/1991
Materiały Elektroniczne 1991 nr 2(74)
Autorzy:
Kamiński Paweł
Współwytwórcy:
Kaminski Paweł
Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:
1991
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper = Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi
Materiały Elektroniczne 2013 Vol. 41 No 2
Autorzy:
Pasternak Iwona
Współwytwórcy:
Piątkowska Anna
Ciuk Tymoyeusz
Strupiński Włodzimierz
Caban Piotr
Grodecki Kacper
Data publikacji:
2013
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Determination of electrical and thermal parameters of vertical-cavity surface-emitting lasers
Autorzy:
Śpiewak, Patrycja
Gębski, Marcin
Strupiński, Włodek
Czyszanowski, Tomasz
Kołkowski, Walery
Pasternak, Iwona
Sarzała, Robert P.
Nakwaski, Włodzimierz
Wasiak, Michał
Tematy:
TLM
thermal resistance
VCSEL
AlGaAs
Pokaż więcej
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czasopisma i Monografie PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies