Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Sarnecki, Jerzy" wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
It’s worth being a criminologist
Warto być kryminologiem
Autorzy:
Sarnecki, Jerzy
Data publikacji:
2021-06-24
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Nauk Prawnych PAN
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Określenie koncentracji i współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG
Autorzy:
Sarnecki, Jerzy
Data publikacji:
2012
Dostawca treści:
Academica
Artykuł
Tytuł:
Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej
Epitaksja warstw Er:YAG z fazy ciekłej = The liquid phase epitaxy of Er:YAG layers
Materiały Elektroniczne 1997 T.25 nr 3
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:
Skwarcz Jerzy
Data publikacji:
1997
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Otrzymywanie epitaksjalnych warstw granatów dla techniki laserowej = Growth of garnet epitaxial layers for laser technique
Otrzymywanie epitaksjalnych warstw granatów dla techniki laserowej. Rozprawa doktorska
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:
Malinowski, Michał. Promotor.
Data publikacji:
2005
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Polymer luminescent concentrators containing oxide nanocrystals doped with rare-earth elements matched to an edge-illuminated silicon solar cell
Luminescencyjne koncentratory polimerowe zawierające nanokryształy tlenkowe domieszkowane wybranymi jonami ziem rzadkich dopasowane widmowo do krzemowych ogniw słonecznych oświetlanych krawędziowo
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:
Gawlik Grzegorz
Jeremiasz Olgierd
Lipińska Ludwika
Data publikacji:
2015
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 2002 T.30 nr 1/2
Falowodowe struktury laserowe Yb, Nd:YAG/YAG
Falowodowe struktury laserowe Yb, Nd:YAG/YAG = The Yb, Nd:YAG/YAG structures for waveguide lasers
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:
Kopczyński Krzysztof
Data publikacji:
2002
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Electronic Materials Vol. 42 Nr 1
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
Materiały Elektroniczne. T. 42 Nr 1
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego = A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:
Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Data publikacji:
2014
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG
Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG = Liquid phase epitaxial growth and characterization of Nd:YAG/YAG waveguide laser structures
Materiały Elektroniczne 2000 T.28 nr 4
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:
2000
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Określenie koncentracji jonów Ga3+ w cienkich warstwach magnetycznych grantów
Określenie koncentracji jonów Ga3+ w cienkich warstwach magnetycznych grantów = Determination of the concentration of Ga3+ jons in thin magnetic garnet films
Materiały Elektroniczne 1982 nr 1(37)
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:
1982
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1991 nr 3(75)
Wpływ getterowania laserowego na czas życia nośników mniejszościowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej
Wpływ getterowania laserowego na czas życia nośników mniejszościowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej = The effect of laser gettering on minority carier-lifetime in silicon epitaxial layers
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:
Niechoda Z.
Nowicki M.
Turos Andrzej
Siennicki A.
Data publikacji:
1991
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 3
Wpływ składu roztworu wysokotemperaturowego na wartościowość jonów metali przejściowych w warstwach epitaksjalnych YAG i GGG = The influence of high temperature solution composition on transition metal ions valency in YAG and GGG epitaxial layers
Wpływ składu roztworu wysokotemperaturowego na wartościowość jonów metali przejściowych w warstwach epitaksjalnych YAG i GGG
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:
2009
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG
Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG = Determination of concentration and the segregation of active rare earth ions in YAG epitaxial layers and waveguide structures
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:
2012
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Rozpuszczalność granatu itrowo-glinowego w topniku PbO/B203
Materiały Elektroniczne 2013 T. 41 nr 1
Rozpuszczalność granatu itrowo-glinowego w topniku PbO/B203 = Solubility of ytrrium - aluminum garnet in PbO/B2O3 flux
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:
2013
Wydawca:
ITME,
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Epitaksja z fazy ciekłej struktur mikrolaserowych Cr,Mg:YAG/Yb:YAG
Epitaksja z fazy ciekłej struktur mikrolaserowych Cr,Mg:YAG/Yb:YAG = Liquid phase epitaxy growth of Vr,Mg:YAG/Yb:YAG microlaser structures
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 1
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:
Kopczyński Krzysztof
Data publikacji:
2007
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
The Institute of Electronic Materials Technology inSCIMAGO Ranking in years 2014-2020
The Institute of Electronic Materials Technology in SCIMAGO Ranking in years 2014-2020
Autorzy:
Plasota Szymon
Sarnecki Jerzy
Jeleński Andrzej
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Łukasiewicz – ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Badanie cienkich warstw magnetycznych granatów metodą FMR
Materiały Elektroniczne 1982 nr 1(37)
Badanie cienkich warstw magnetycznych granatów metodą FMR = Investigation of thin magnetic films by FMR method
Autorzy:
Jabłoński Ryszard
Współwytwórcy:
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:
1982
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej = Minority carriers generation lifetime measuring by means of mercury prote
Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1
Pomiar czasu życia nośników mniejszościowych w krzemowych warstwach epitaksjalnych za pomocą sondy rtęciowej
Autorzy:
Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:
1993
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu
Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy
Autorzy:
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:
Szymkiewicz Andrzej
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:
1985
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors
Materiały Elektroniczne 1986 nr 4(56)
Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn
Autorzy:
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:
Lipiński Dariusz
Sarnecki Jerzy
Skwarcz Jerzy
Data publikacji:
1987
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties
Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:
Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:
Skwarcz Jerzy
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:
1994
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności = Silicon epitaxial layers with profiled resistivity
Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Krzemowe warstwy epitaksjalne o zmiennym profilu rezystywności
Autorzy:
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:
Tomaszewski Jacek
Sarnecki Jerzy
Brzozowski Andrzej
Data publikacji:
1985
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 4
Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements =
Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements
Autorzy:
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:
Kamiński Paweł
Sarnecki Jerzy
Kozłowski Roman
Data publikacji:
1992
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym = Silicon epitaxial deposited porous silicon for photovoltaic applications
Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 3
Autorzy:
Lipiński Dariusz
Współwytwórcy:
Brzozowski Andrzej
Sarnecki Jerzy
Mazur Krystyna
Data publikacji:
2012
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
Materiały Elektroniczne 2013 T. 41 nr 4
Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym = High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method
Autorzy:
Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:
Lipiński Dariusz
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:
2013
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Detekcja neutronów i detekcja radonu przy wykorzystaniu krzemowych detektorów naładowanych cząstek : nowa koncepcja osobistej dozymetrii
Współwytwórcy:
Sarnecki, Jerzy
Bar, Jan
Panas, Andrzej
Zaborowski, Michał
Kulawik, Jan
Lipiński, Dariusz
Cież, Michał
Instytut Technologii Elektronowej
Witek, Krzysztof
Budzyński, Tadeusz
Grabiec, Piotr
Węgrzecki, Maciej
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Kłos, Helena
Data publikacji:
2012
Dostawca treści:
Academica
Artykuł
Tytuł:
W sprawie zgodności z Konstytucją RP projektu ustawy o zmianie ustawy z dnia 16 lipca 1998 r. - Ordynacja wyborcza do rad gmin, rad powiatów i sejmików województw oraz ustawy z dnia 20 czerwca 2002 r. o bezpośrednim wyborze wójta, burmistrza i prezydenta miasta
Współwytwórcy:
Sarnecki, Paweł (1939-2016)
Jarentowski, Marek (1974- )
Skotnicki, Krzysztof (1953- )
Regulski, Jerzy (1924-2015)
Tematy:
Wybory samorządowe - ordynacja - Polska
Polska - konstytucja 1997 r.
Pokaż więcej
Data publikacji:
2007
Dostawca treści:
Academica
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies