- Tytuł:
- Charakteryzacja diod p-i-n wytworzonych metodą implantacji warstw epitaksialnych 4H-SiC jonami glinu
- Współwytwórcy:
-
Turek, Marcin
Sochacki, Mariusz
Szmidt, Jan
Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej. Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki. Instytut Fizyki
Pazio, Kamil.
Droździel, Andrzej
Rawski, Michał
Kwietniewski, Norbert
Prucnal, Sławomir
Pyszniak, Krzysztof
Politechnika Warszawska. Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
Kulik, Mirosław
Żuk, Jerzy (fizyka) - Data publikacji:
- 2009
- Dostawca treści:
- Academica
Artykuł