Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki BIBLIOTEKA UCZELNIANA PANS W PRZEMYŚLU  Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaBIBLIOTEKA UCZELNIANA PANS W PRZEMYŚLU 

Wyszukujesz frazę "Orlowski, S." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Wpływ cząsteczek wody w B2O3 na właściwości niedomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego
    The influence of growth process parameters on properties of undoped InAs single crystals
    Autorzy:
    Orłowski, W.
    Hruban, A.
    Mirowska, A.
    Strzelecka, S.
    Tematy:
    InAs
    LEC
    B2O3
    własności elektryczne
    electrical properties
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji < 100 > oraz < 111 >
    Difficulties in 4 gallium phosphide (GaP) single crystals growing in < 100 > or < 111 > direction
    Autorzy:
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Hruban, A.
    Strzelecka, S.
    Tematy:
    GaP
    monokrystalizacja
    metoda LEC
    crystal growth
    LEG method
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni
    Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Hruban, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Tematy:
    GaP
    własności elektryczne
    własności optyczne
    optical properties
    electrical properties
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Wpływ obróbki termicznej na własności niedomieszkowanych monokryształów GaP
    Annealing influence on the electrical properties of GaP single crystals
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Hruban, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Surma, B.
    Tematy:
    GaP
    obróbka termiczna
    materiał półizolujący
    własności elektryczne
    annealing
    SI crystal
    electrical properties
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2009
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Określanie koncentracji węgla w monokryształach GaP na podstawie widm absorpcyjnych w podczerwieni
    Determination of carbon concentration single crystals from absorption spectra in in range
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Surma, B.
    Hruban, A.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Tematy:
    widmo absorpcyjne w podczerwieni
    krzywa kalibracji
    niedomieszkowany monokryształ GaP
    określanie koncentracji węgla
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2007
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
    [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Mirowska, A.
    Rojek, A.
    Tematy:
    arsenek galu
    SI GaAs
    metoda Czochralskiego
    LEC
    orientacja
    gallium arsenide
    Czochralski method
    orientation
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Zintegrowany proces otrzymywania monokryształów SI GaAs metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową
    Integrated process of SI GaAs crystals manufacturing by the Liquid Encapsulated Czochralski method
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Materna, A.
    Dalecki, W.
    Tematy:
    SI GaAs
    obróbka termiczna
    EPD
    gallium arsenide
    LEC thermal annealing
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
    GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range
    Autorzy:
    Strzelecka, S.
    Hruban, A.
    Wegner, R.
    Piersa, N.
    Surma, B.
    Orłowski, W.
    Mirowska, A.
    Materna, A.
    Gładki, A.
    Tematy:
    optyka w podczerwieni
    monokryształ
    transmitancja monokryształów
    zastosowanie materiałów półprzewodnikowych
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Szczegóły
    Tytuł:
    Wpływ składu chemicznego fazy ciekłej na własności niedomieszkowanych kryształów Bi2Se3
    Influence of chemical composition of the melt on physical properties of Bi2Se3 crystals
    Autorzy:
    Hruban, A.
    Materna, A.
    Strzelecka, S.
    Piersa, M.
    Orłowski, W.
    Jurkiewicz-Wegner, E.
    Diduszko, R.
    Romaniec, M.
    Dalecki, W.
    Wołoś, A.
    Tematy:
    selenek bizmutu
    Bi2Se3
    izolator topologiczny
    struktura pasmowa
    wytrącenia Se
    bismuth selenide
    topological insulator
    band structure
    precipitates Se
    Pokaż więcej
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Szczegóły
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies