Wpływ cząsteczek wody w B2O3 na właściwości niedomieszkowanych monokryształów InAs otrzymywanych metodą Czochralskiego

Opracowano warunki otrzymywania metodą Czochralskiego z hermetyzacją cieczową (Liquid Encapsulated Czochralski - LEC) bardzo czystych niedomieszkowanych monokryształów InAs typu n o ruchliwości elektronów μ > 22000 cm ² / Vs i koncentracji elektronów n < 3 x10^16 cm -³ w 300 K. Zbadano wpływ zawartości cząsteczek wody w topniku (B2O3) stosowanym do hermetyzacji stopionego wsadu na parametry elektryczne kryształów oraz na zawartość w nich domieszek resztkowych. Zbadano również wpływ czasu wygrzewania stopionego wsadu przed procesem krystalizacji na własności otrzymanych kryształów.

The aim of this work was to find out technological conditions that allow obtaining high purity undoped InAs single crystals with carrier concentration below 3xl0^16 cm -³ and carrier mobility over 22000 cm ² / Vs. Synthesis by injection method and Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) crystal growth were applied. The influence of water content in B2O3 encapsulant (applied during injection synthesis and LEC growth) on electrical properties of InAs crystals and especially on dopants concentration was investigated. The influence of charge annealing duration before crystallization process on InAs crystals properties was also investigated.