Temat: centrum defektowe - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska
Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska = Effect shallow impurities on the properties and concentrations of deep-level defect centres in SiC
Prace doktorskie
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów
Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów = The measurement circuit for defect centers investigation by the method of the deep levels transient capacitance spectroscopy
Materiały Elektroniczne 1982 nr 3(39)
Autorzy:: Lamperski Jan
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 1983
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej
Materiały Elektroniczne 2004 T.32 nr 1/4
Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =
Autorzy:: Pawłowski Michał
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 2
Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP
Autorzy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego
Badania centrów defektowych poprzez pomiary termiczne lub optycznie stymulowanych prądów i pojemności złącz p-n i barier Schottkyego = The investigation of defect centor by measuring of thermal or optical stimulated currents and capacitance of p-n junctions and Schottky barriers
Proceedings of ONPMP 1978 z. 3
Prace ONPMP 1978 z. 3
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Pietras Edward
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS = Error analysis of the parameters of the defect centres determined by the photoinduced transient spectroscopy PITS
Analiza błędu wartości parametrów centrów defektowych wyznaczanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 2
Autorzy:: Pawłowski, Michał.
Pawłowski Michał
Współwytwórcy:: Suproniuk Marek
Suproniuk, Marek.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja