Temat: centrum defektowe - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów
Układ do badania centrów defektowych metodą niestacjonarnej pojemnościowej spektroskopii głębokich poziomów = The measurement circuit for defect centers investigation by the method of the deep levels transient capacitance spectroscopy
Materiały Elektroniczne 1982 nr 3(39)
Autorzy:: Lamperski Jan
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 1983
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:si metoda niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Materiały Elektroniczne 2006 T.34 nr 1/2
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2006
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej
Materiały Elektroniczne 2004 T.32 nr 1/4
Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =
Autorzy:: Pawłowski Michał
Data publikacji:: 2004
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP = Investigation of defect centres in laser heterostructures of AlGaAs/GaAs with GaAsP quantum well
Materiały Elektroniczne 2007 T.35 nr 2
Badanie centrów defektowych w hweterostrukturach laserowych AlGaAs/GaAs ze studnią kwantową GaAsP
Autorzy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV
Zastosowanie metody DLTS do badania głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych wieloskładnikowych związków AIIIBV = Application of DLTS method to investigation of deep defect centers in epitaxial layers of multicomponent III-V compounds
Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 1
Autorzy:: Kozłowski Roman
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja