Temat: SIC - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska
Praca doktorska.
Autorzy:: Tymicki Emil
Współwytwórcy:: Grasza, Krzysztof. Promotor
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej = New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method
Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 3
Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Mawłowski Marek
Brzozowski Michał
Pawłowski Michał
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: 15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 3
15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej = 15R-SiC inclusions in 4H-and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
Autorzy:: Tymicki Emil
Współwytwórcy:: Grasza Krzysztof
Mazur Krystyna
Diduszko Ryszard
Łukasiewicz Tadeusz
Racka Katarzyna
Kościewicz Kinga
Raczkiewicz Marcin
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne. T.43 Nr 2
Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG
Electronic Materials V.43 Nr 2
Solution growth of 3C-SiC by TSSG method
Autorzy:: Raczkiewicz Marcin
Współwytwórcy:: Tymicki Emil
Łukasiewicz Tadeusz
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 1
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC
Identyfikacja centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych 4H-SiC = Identification of defect centers in 4H-SiC epitaxial layers
Autorzy:: Kozubal Michał
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 1
Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC
Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC = Application of electron SPIN resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals
Autorzy:: Pawłowski Mariusz
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska
Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska = Effect shallow impurities on the properties and concentrations of deep-level defect centres in SiC
Prace doktorskie
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: SiC die-substrate connections for high temperature applications
Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 1
SiC die-substrate connections for high temperature applications = Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych
Autorzy:: Szczepański Zbigniew
Współwytwórcy:: Kisiel Ryszard
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 4
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN = The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN
Autorzy:: Caban Piotr
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi
Poprawa jakości polerowanych płytek SiC metodą chemicznego utleniania i obróbki termicznej. Badania jakości powierzchni metodami rentgenowskimi = Improvement of the quality of SiC wafers polished using chemical oxidation and heat treatment. Examination of the quality of the surface using X-ray technoques
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 2
Autorzy:: Sakowska Halina
Współwytwórcy:: Teklińska Dominika
Wierzchowski Wojciech
Mazur Krystyna
Gała Maciej
Wieteska Krzysztof
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "SIC" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Słowa kluczowe

Autor

Typ dokumentu

Język

Forma i typ