- Tytuł:
- Challenges for 10 nm MOSFET process integration
- Autorzy:
-
Östling, M.
Malm, B. G.
Haartman, M.
Hallstedt, J.
Zhang, Z.
Hellström, P. E.
Zhang, S. - Tematy:
-
sstrained silicon
silicon-germanium
silicon-on-insulator (SOI)
high-k dielectrics
hafnium oxide
nanowire
low frequency noise
mobility
metal gate - Pokaż więcej
- Data publikacji:
- 2007
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł