Temat: SIC - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wzrost politypu 4H na podłożu o strukturze 6H w procesie monokrystalizacji SiC metodą transportu fizycznego z fazy gazowej. Rozprawa doktorska
Praca doktorska.
Autorzy:: Tymicki Emil
Współwytwórcy:: Grasza, Krzysztof. Promotor
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V
Effect of photon energy on image of spectral fringes obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals
Autorzy:: Miczuga, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Pawłowski, M.
Tematy:: PITS
centra defektowe
półizolujący SiC
defect centres
SI SiC; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wpływ nierówności powierzchni na właściwości tribologiczne elementów ślizgowych w skojarzeniu materiałowym SiC–42CrMo4
The effect of surface roughness on the tribological properties of sliding elements in material assembly SiC–42CrMo4
Autorzy:: Bulikowska, B.
Gałda, L.
Tematy:: chropowatość powierzchni
twardość
ceramika SiC
surface roughness
hardness
SiC ceramics; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: 15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
Autorzy:: Tymicki, E.
Raczkiewicz, M.
Racka, K.
Grasza, K.
Kościewicz, K.
Diduszko, R.
Mazur, K.
Łukasiewicz, T.
Tematy:: SiC
15R-SiC
wtrącenie politypowe
metoda PVT
polytype inclusion
PVT method; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Technologia SiC wkracza na rynek
SiC technology enters the market
Autorzy:: Kozłowska, M.
Tematy:: przetwornica SiC
pojazdy szynowe
autobusy elektryczne
SiC converter
rolling stock
electric buses; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC
Application of electron spin resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals
Autorzy:: Pawłowski, M.
Tematy:: elektronowy rezonans spinowy
polityp kryształów SiC
określanie politypu kryształów
kryształ SiC; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej = New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method
Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 3
Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
Autorzy:: Kozubal Michał
Współwytwórcy:: Mawłowski Marek
Brzozowski Michał
Pawłowski Michał
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Dwukierunkowa przetwornica DC/DC z wykorzystaniem elementów SiC
Bidirectional DC/DC converter built with the use of SiC elements
Autorzy:: Matelski, W.
Wolski, L.
Abramik, S.
Tematy:: przekształtniki DC/DC
magazynowanie energii
półprzewodniki SiC
mikrosieci
DC/DC converters
energy storage
SiC semiconductors
microgrids; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:: Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Tematy:: LP MOVPE
GaN
4H-SiC; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Nowe stanowisko pomiarowe do charakteryzacji centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej
New measurement system for characterization of defect centers by capacitance transient spectroscopy method
Autorzy:: Kozubal, M.
Pawłowski, M.
Brzozowski, M.
Tematy:: DLTS
centra defektowe
SiC
defect centers; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "SIC" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Temat

Słowa kluczowe

Autor

Typ dokumentu

Język

Forma i typ

Kolekcja