Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "carrier" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-6 z 6
Tytuł:
A new carrier for small rodents
Autorzy:
Healing, T. D.
Data publikacji:
1980
Wydawca:
Wiley-Blackwell
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 4
Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements =
Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements
Autorzy:
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:
Kamiński Paweł
Sarnecki Jerzy
Kozłowski Roman
Data publikacji:
1992
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1976 nr 4(16)
Pomiar ruchliwości dryftowej nośników ładunku w fotoczułych dielektrykach = Drift mobility of charge carriers in photosensitive dielectrics measurement
Pomiar ruchliwości dryftowej nośników ładunku w fotoczułych dielektrykach
Autorzy:
Turski Tomasz
Data publikacji:
1976
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
Pomiar koncentracji nośników większościowych w warstwach epitaksjalnych związków AIIIBV metodą napięcia przebicia = Measurement of the carrier concentration in epitaxial layers of III-V compounds by the breakdown voltage method
Autorzy:
Kot Waldemar
Współwytwórcy:
Lichowski Maciej
Data publikacji:
1985
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe
Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 3
Autorzy:
Brzozowski Andrzej
Data publikacji:
2008
Wydawca:
ITME
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
Tytuł:
Materiały Elektroniczne 1991 nr 3(75)
Wpływ getterowania laserowego na czas życia nośników mniejszościowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej
Wpływ getterowania laserowego na czas życia nośników mniejszościowych w krzemowej warstwie epitaksjalnej = The effect of laser gettering on minority carier-lifetime in silicon epitaxial layers
Autorzy:
Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:
Niechoda Z.
Nowicki M.
Turos Andrzej
Siennicki A.
Data publikacji:
1991
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
    Wyświetlanie 1-6 z 6

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies