Temat: SIC - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys
Autorzy:: Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Korwin-Pawlowski, M. L.
Tematy:: silicon carbide
SiC MOSFET
4H-SiC
6H-SiC
Crosslight Apsys
Silvaco Atlas; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2007
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Wpływ energii fotonów na obraz prążków widmowych otrzymywanych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej dla centrów defektowych w półizolujących monokryształach 4H-SiC:V
Effect of photon energy on image of spectral fringes obtained by photoinduced transient spectroscopy for defect centres in semi-insulating 4H-SiC:V single crystals
Autorzy:: Miczuga, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Pawłowski, M.
Tematy:: PITS
centra defektowe
półizolujący SiC
defect centres
SI SiC; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Method and measurement system for dc characteristics measurement of power diodes in very wide current range
Metoda i system pomiarowy do pomiaru charakterystyk stałoprądowych diod w bardzo szerokim zakresie prądów
Autorzy:: Cichosz, J.
Szewczyk, A.
Stawarz-Graczyk, B.
Tematy:: diody SiC
pomiary
charakterystyka stałoprądowa
SiC power diode
measurement
DC characteristic; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Wpływ nierówności powierzchni na właściwości tribologiczne elementów ślizgowych w skojarzeniu materiałowym SiC–42CrMo4
The effect of surface roughness on the tribological properties of sliding elements in material assembly SiC–42CrMo4
Autorzy:: Bulikowska, B.
Gałda, L.
Tematy:: chropowatość powierzchni
twardość
ceramika SiC
surface roughness
hardness
SiC ceramics; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: 15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
Autorzy:: Tymicki, E.
Raczkiewicz, M.
Racka, K.
Grasza, K.
Kościewicz, K.
Diduszko, R.
Mazur, K.
Łukasiewicz, T.
Tematy:: SiC
15R-SiC
wtrącenie politypowe
metoda PVT
polytype inclusion
PVT method; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: SiC technology enters the market
Autorzy:: Kozłowska, Małgorzata
Tematy:: SiC technology
silicon carbide
railway track
technologia SiC
węglik krzemu
tory kolejowe; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Technologia SiC wkracza na rynek
SiC technology enters the market
Autorzy:: Kozłowska, M.
Tematy:: przetwornica SiC
pojazdy szynowe
autobusy elektryczne
SiC converter
rolling stock
electric buses; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Zastosowanie elektronowego rezonansu spinowego (ESR) do określania politypu kryształów SiC
Application of electron spin resonance (ESR) to polytype determination of SiC crystals
Autorzy:: Pawłowski, M.
Tematy:: elektronowy rezonans spinowy
polityp kryształów SiC
określanie politypu kryształów
kryształ SiC; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: SiC die-substrate connections for high temperature applications
Techniki montażu struktur SiC do podłoża dla zastosowań wysokotemperaturowych
Autorzy:: Szczepański, Z.
Kisiel, R.
Tematy:: SiC
montaż struktur
die bonding; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Application of modern semiconductor devices from silicon carbide for the construction of the synchronous rectifiers
Autorzy:: Krupa, A.
Tematy:: SiC devices
synchronous rectifier
transformer; Pokaż więcej
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Fundacja na Rzecz Młodych Naukowców
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "SIC" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język

Kolekcja