Autor: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych = Influence of Ni and Fe on silicon epitaxial layers properties
Wpływ obecności Fe i Ni na własności krzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 2
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska, Elżbieta
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Skwarcz Jerzy
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1998 T.26 nr 3/4
Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego = Silicon epitaxial layers for nuclear radiation detectors
Krzemowe warstwy epitaksjalne do detektorów promieniowania jądrowego
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych
Materiały Elektroniczne 1977 nr 4(20)
Określenie położenia epitaksjalnych złącz n/n+ w krzemie na szlifach skośnych = Determination of the position of epitaxial n-n+ junctions on a skew microsection
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lachowski Andrzej
Łazowy Barbara
Data publikacji:: 1977
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1992 T.20 nr 4
Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements =
Characterization of epitaxial silicon for MOS VLSI IC by deep level transsient spectroscopy and minority carrier lifetime measurements
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Sarnecki Jerzy
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1992
Wydawca:: ITME
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn = Epitaxial silicon layers As doped for micowave npn transistors
Materiały Elektroniczne 1986 nr 4(56)
Krzemowe warstwy epitaksjalne domieszkowane As dla mikrofalowych tranzystorów typu npn
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Sarnecki Jerzy
Skwarcz Jerzy
Data publikacji:: 1987
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1983 nr 4(44)
Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju
Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju = Silicon epitaxy. Trends
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Data publikacji:: 1984
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: MST News Poland 1996 nr 1
Silicon for MST applications
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Zabierowski Piotr
Data publikacji:: 1996
Wydawca:: Institute of Electronic Materials Technology
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu
Proceedings of ONPMP 1976 nr 1[7]
Prace ONPMP 1976 nr 1[7]
Niektóre defekty obserwowane w homoepitaksjalnych warstwach krzemu = Some of observed defects in silicon homoepitaxial layers
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Pawłowska Marta
Data publikacji:: 1976
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz.
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1976 nr 4(16)
Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um = Silicon epitaxial layers of thickness above 20 um
Krzemowe warstwy epitaksjalne o grubości powyżej 20 um
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lachowski Andrzej
Data publikacji:: 1976
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology
Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych
Materiały Elektroniczne 1978 nr 1(21)
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Tomaszewski Jerzy
Grudzieński Andrzej
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Nossarzewska-Orłowska Elżbieta" wg kryterium: Autor

Źródło danych

Dostawca treści

Rok wydania

Wydawca

Słowa kluczowe

Autor

Typ dokumentu

Język

Forma i typ